[发明专利]半水基型半导体元器件清洗剂在审
| 申请号： | 202011527728.1 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112500938A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈成勋;种光耀;黄继承 | 申请（专利权）人： | 苏州柏越纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/72 | 分类号： | C11D1/72;C11D1/825;C11D3/20;C11D3/26;C11D3/37;C11D3/60 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 蒋慧妮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半水基型 半导体 元器件 洗剂 | ||
【权利要求书】：
1.半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的pH值为6.8-7.4，其组分(质量百分比)为，
2.如权利要求1所述的半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的组分(质量百分比)为，
3.如权利要求2所述的半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述非离子表面活性剂为异构十三醇聚氧乙烯醚中一种或一种以上的组合，所述异构十三醇聚氧乙烯醚化学式为C13H27O(CH2CH2O)nH，其中n＝5-10。
4.如权利要求2所述的半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述缓蚀剂为丙酮肟、聚天冬氨酸、苯丙三氮唑、柠檬酸钠中的一种或一种以上的组合。
5.如权利要求3所述的半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述非离子表面活性剂为1：1～1：3的异构十三醇聚氧乙烯醚1305和异构十三醇聚氧乙烯醚1309。
6.如权利要求5所述的半水基型半导体元器件清洗剂，其特征在于：所述缓蚀剂为丙酮肟和聚天冬氨酸的混合，且所述丙酮肟和所述聚天冬氨酸比例为1:1～1:5。
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