[发明专利]半导体工艺设备有效
申请号: | 202011528578.6 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112795891B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 胡烁鹏 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/35;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
1.一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载盘,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括厚度检测装置、承载盘升降装置和控制装置,所述厚度检测装置用于向所述承载盘上的基片的多个检测位置发出检测光信号并接收所述多个检测位置的反射光信号,以及根据所述反射光信号确定所述基片在多个所述检测位置的厚度,所述控制装置用于根据所述基片在多个所述检测位置的厚度确定所述基片厚度的均匀度,并在所述均匀度高于预设均匀度时,控制所述承载盘升降装置调节所述承载盘的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,多个所述检测位置包括多个中心检测点和环绕多个所述中心检测点设置的外圈检测点。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,多个所述中心检测点包括位于所述基片中心的中央检测点和环绕所述中央检测点设置的内圈检测点。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述内圈检测点为4个,所述外圈检测点为4个,4个所述内圈检测点和4个所述外圈检测点均沿圆周方向等间隔分布且径向错开。
5.根据权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述控制装置具体用于:
在所述基片厚度的均匀度高于所述预设均匀度,且所述基片在所述中心检测点的平均厚度低于所述基片在所述外圈检测点的平均厚度时,控制所述承载盘升降装置降低所述承载盘的高度;
在所述基片厚度的均匀度高于所述预设均匀度,且所述基片在所述中心检测点的平均厚度高于所述基片在所述外圈检测点的平均厚度时,控制所述承载盘升降装置升高所述承载盘的高度。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述控制装置用于根据所述基片在多个所述检测位置的厚度的方差和均值得到基片厚度的均匀度。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述厚度检测装置包括光信号发射器和光探测器,所述光信号发射器和所述光探测器均设置在所述工艺腔室的侧壁上,所述光信号发射器用于向所述承载盘上的所述基片的多个检测位置发出所述检测光信号,所述光探测器用于接收所述多个检测位置的所述反射光信号,并根据所述反射光信号确定基片在每个所述检测位置的厚度;
所述光信号发射器和所述光探测器分别设置在所述工艺腔室的两侧,且所述光信号发射器与所述光探测器的高度一致。
8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室的所述侧壁上形成有发射孔和接收孔,所述光信号发射器通过所述发射孔发射所述检测光信号,所述光探测器通过所述接收孔接收所述反射光信号。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述发射孔和所述接收孔的孔径均大于等于3cm小于5cm,且所述发射孔和所述接收孔的孔径均沿进入所述工艺腔室的方向逐渐增大。
10.根据权利要求7所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述检测光信号为偏振光,所述厚度检测装置用于根据所述检测光信号的波长、水平分量、垂直分量以及所述反射光信号的水平分量和垂直分量确定所述基片在每个所述检测位置的厚度。
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