[发明专利]一种功率电磁阀自适应驱动系统及驱动方法

说明书

本发明公开了一种功率电磁阀自适应驱动系统及驱动方法，驱动系统包括主控制器、功率电磁阀和静态电阻检测模块；当功率电磁阀启动时，主控制器发出第一控制指令，第一控制指令用于静态电阻检测模块输出第一电压值；主控制器根据第一电压值获取功率电磁阀的静态电阻阻值，并根据静态电阻阻值发出第二控制指令，第二控制指令用于静态电阻检测模块输出用于驱动功率电磁阀启动的第二电压值。本发明的目的在于提供一种功率电磁阀自适应驱动系统及驱动方法，引入了静态电阻检测模块，在功率电磁阀启动瞬间对功率电磁阀的静态电阻情况进行检测，使得在安全低压供电情况下，能够预先了解功率电磁阀的状态，对接下来系统的运行起到指导作用。

技术领域

本发明涉及功率电磁阀技术领域，具体涉及一种功率电磁阀自适应驱动系统及驱动方法。

背景技术

常规电磁阀驱动电路通常是一个高位直流驱动电源加上一个次高位直流维持电源作为整个电路的驱动源，其高位直流驱动电源在启动前期对电磁阀的供电，使驱动电流达到足以激活电磁阀的状态，次高位直流驱动电源在电磁阀已激活后负责维持电磁阀的激活状态即可，其功能框图如图1所示。

而功率电磁阀在不同环境温度下表现出的静态电阻是不一样的，当功率电磁阀工作在高温环境中，此时的静态电阻相比常温下的静态电阻会有较大增幅，在数百摄氏度的极端情况下其静态电阻甚至能达到常温下静态电阻的1.5倍到2倍。

而常规电磁阀驱动电路只能提供两种幅值的驱动电源，不能适应功率电磁阀在不同环境温度下静态电阻差异较大而引入的节能驱动问题，若使用上述驱动电路将导致如下情况：

(1)为满足图2所示的Imax值，当功率电磁阀的静态电阻较大时，大部分能量用于驱动电磁阀，只有少许能量在恒流MOSFET上以漏源电压的形式损耗；

(2)为满足图2所示的Imax值，当功率电磁阀的静态电阻较小时，只有一部分能量用于驱动电磁阀，还有相当大一部分能量在恒流MOSFET上以漏源电压的形式损耗，导致恒流MOSFET结温迅速升高，极端情况下会烧毁恒流MOSFET。

因此，这种驱动电路运用于功率电磁阀的驱动时，弊端明显。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功率电磁阀自适应驱动系统及驱动方法，引入了静态电阻检测模块，在功率电磁阀启动瞬间对功率电磁阀的静态电阻情况进行检测，使得在安全低压供电情况下，能够预先了解功率电磁阀的状态，对接下来系统的运行起到指导作用。

本发明通过下述技术方案实现：

一种功率电磁阀自适应驱动系统，包括主控制器、功率电磁阀和静态电阻检测模块；

当所述功率电磁阀启动时，所述主控制器发出第一控制指令，所述第一控制指令用于所述静态电阻检测模块输出第一电压值；其中，所述第一电压值小于所述功率电磁阀的驱动电压值且所述第一电压值大于0；

所述主控制器根据所述第一电压值获取所述功率电磁阀的静态电阻阻值，并根据所述静态电阻阻值发出第二控制指令，所述第二控制指令用于所述静态电阻检测模块输出第二电压值，其中，所述第二电压值用于驱动所述功率电磁阀启动

优选地，所述静态电阻检测模块包括可调驱动电源、采样电阻以及模数转换器芯片；

所述可调驱动电源，用于根据所述第一控制指令输出所述第一电压值或根据所述第二控制指令输出所述第二电压值；

所述采样电阻，用于获取驱动系统的电流值；

所述模数转换器芯片，用于获取所述功率电磁阀的静态电阻阻值。

优选地，所述静态电阻阻值由下式获取：