[发明专利]一种半导体器件的衬底结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011531763.0 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112635623A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 杨国文;唐松 申请(专利权)人: 度亘激光技术(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01S5/20;H01S5/30
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 215000 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 衬底 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的衬底结构,其特征在于,包括:衬底层,在所述衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层,所述第一外延生长层和所述第二外延生长层为电流阻挡层,所述衬底层在所述第一外延生长层和所述第二外延生长层之间的部分为通道区,所述第一外延生长层、所述第二外延生长层与所述通道区的顶面位于同一平面,所述平面与所述衬底层的底面平行。

2.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述通道区沿所述第一外延生长层至所述第二外延生长层方向的宽度大于等于0.1μm且小于等于500μm。

3.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述通道区的厚度大于等于20nm。

4.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述第一外延生长层和所述第二外延生长层间隔设置于所述通道区的两侧。

5.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述第一外延生长层和所述第二外延生长层绕设于所述通道区的外周且相互连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述通道区为N型区,所述第一外延生长层和所述第二外延生长层为P型层;或,所述通道区为P型区,所述第一外延生长层和所述第二外延生长层为N型层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述通道区在所述衬底层的正投影形状为矩形、三角形、梯形中的一种。

8.如权利要求1至7任一项所述的半导体器件的衬底结构,其特征在于,所述通道区的侧面与所述通道区的顶面的夹角为锐角或钝角。

9.一种半导体器件的衬底结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

在衬底层形成第一外延生长层和第二外延生长层,所述衬底层在所述第一外延生长层和所述第二外延生长层之间的部分为通道区,其中,所述第一外延生长层、所述第二外延生长层与所述通道区的顶面位于同一平面,所述平面与所述衬底层的底面平行。

10.如权利要求9所述的半导体器件的衬底结构的制备方法,其特征在于,所述在衬底层形成第一外延生长层和第二外延生长层包括:

对所述衬底层刻蚀形成相邻的第一刻蚀槽和第二刻蚀槽,所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间具有台面结构;

在所述衬底层上外延生长电流阻挡层;

对所述电流阻挡层进行表面平坦化处理以露出所述台面结构,所述电流阻挡层经表面平坦化处理后位于所述第一刻蚀槽的部分为所述第一外延生长层,所述电流阻挡层经表面平坦化处理后位于所述第二刻蚀槽的部分为所述第二外延生长层,位于所述第一外延生长层和所述第二外延生长层之间的台面结构为通道区。

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