[发明专利]一种芯片的封装结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在承载片沿其厚度方向的第一表面依次形成至少一层第一钝化层以及至少一层第二钝化层，第二钝化层与第一钝化层交替间隔设置；图形化第一钝化层以形成第一过孔，在第一过孔中形成金属层，每层金属层的厚度均大于其对应的第一钝化层的厚度；将高于第一钝化层的金属去除，使余留部分的金属层与其对应的第一钝化层齐平，获得各金属布线；图形化第二钝化层以形成第二过孔，各金属布线间通过第二过孔电连接；在最顶层的第二钝化层上形成金属凸块，金属凸块通过第二过孔与各金属布线电连接。本发明使金属布线与对应第一钝化层表面平整，提高第一钝化层精度，金属布线线宽最小可为1μm。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片的封装结构及其制备方法。

背景技术

随着电子产品的多样化，各种尺寸的器件都有需求，微米级线宽的滤波器、变压器、电容、电感等器件的制备，受限于金属凸块的高度，使得光刻胶覆盖金属凸块后的表面不平整，金属线宽必须大于5μm才能满足制备要求。当金属线宽小于5μm时，金属线之间容易出现变形、短接、断裂等情况，从而导致器件性能失效。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种芯片的封装结构及其制备方法。

本发明的一个方面，提供一种芯片的封装结构的制备方法，所述方法包括：

提供承载片；

在所述承载片沿其厚度方向的第一表面依次形成至少一层第一钝化层以及至少一层第二钝化层，所述第二钝化层与所述第一钝化层交替间隔设置；

图形化所述第一钝化层以形成第一过孔，在所述第一过孔中形成金属层，每层所述金属层的厚度均大于其对应层的所述第一钝化层的厚度；

将各高于所述第一钝化层的金属去除，使余留部分的所述金属层与其对应的所述第一钝化层齐平，获得各层金属布线；

图形化所述第二钝化层以形成第二过孔，各层所述金属布线之间通过所述第二过孔电连接；

在最顶层的所述第二钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述第二过孔与各层所述金属布线电连接，以制备得到封装结构。

在一些可选地实施方式中，所述将各高于所述第一钝化层的金属去除，包括：

通过研磨工艺将各高于所述第一钝化层的金属去除。

在一些可选地实施方式中，所述金属布线的线宽大于等于1μm和/或线距范围大于等于1μm；和/或，

所述金属布线的厚度大于等于1μm。

在一些可选地实施方式中，所述金属布线的线宽和/或线距范围为1μm～5μm；和/或，

所述金属布线的厚度范围为1μm～2μm。

在一些可选地实施方式中，所述方法还包括：

在所述金属凸块上形成第三钝化层，图形化所述第三钝化层以将部分所述金属凸块暴露出；

在所述暴露出的金属凸块上形成焊球。

本发明的另一个方面，提供一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：

承载片；

至少一层第一钝化层以及至少一层第二钝化层，所述第二钝化层与所述第一钝化层交替间隔设置在所述承载片沿其厚度方向的第一表面；

所述第一钝化层设置有第一过孔，所述第二钝化层设置有第二过孔；

至少一层金属布线，所述金属布线设置在对应的所述第一过孔中，每层所述金属布线均与其对应的所述第一钝化层齐平，各层所述金属布线之间通过所述第二过孔电连接；