[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法在审
申请号: | 202011533314.X | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113161248A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 金杰云;苏雷什·贾亚拉曼;杜旺朱;申朱红;李吉弘;大卫·锡纳乐;金进勇;金凯领 | 申请(专利权)人: | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
半导体装置以及制造半导体装置的方法。该方法包括:在子面板底座上提供子面板衬底,子面板衬底包括介电结构和导电结构,其中子面板衬底包括面板衬底的切单部分;提供:第一电子组件,第一电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第一部分,以及第二电子组件,第二电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第二部分;移除子面板底座;提供:第一外部互连件,第一外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第一部分,以及第二外部互连件,第二外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第二部分;以及将子面板衬底切单以提供个别单元衬底。
本申请要求2020年1月22日提交的标题为“半导体装置以及制造半导体装置的方法”的第16/748,956号美国非临时申请的权益,所述申请特此以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及电子装置,且更确切地说涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。
背景技术
先前的半导体封装和用于形成或提供半导体封装的方法是不适当的,例如,导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式,所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
发明内容
根据本发明的一态样,一种方法,其包括:在子面板底座上提供子面板衬底,所述子面板衬底包括介电结构和导电结构,其中所述子面板衬底包括面板衬底的切单部分;提供:第一电子组件,所述第一电子组件在所述子面板衬底的第一侧上并且电耦合到所述导电结构的第一部分,以及第二电子组件,所述第二电子组件在所述子面板衬底的所述第一侧上并且电耦合到所述导电结构的第二部分;移除所述子面板底座;提供:第一外部互连件,所述第一外部互连件在所述子面板衬底的第二侧上并且电耦合到所述导电结构的所述第一部分,以及第二外部互连件,所述第二外部互连件在所述子面板衬底的所述第二侧上并且电耦合到所述导电结构的所述第二部分;以及将所述子面板衬底切单以提供个别单元衬底。所述方法进一步包括:在所述子面板衬底的顶侧上提供子面板主体,所述子面板主体接触所述第一电子组件的侧边和所述第二电子组件的侧边。所述方法进一步包括:提供第一金属盖,所述第一金属盖在所述第一电子组件上方的所述子面板衬底的顶侧上并且电耦合到所述导电结构的所述第一部分;以及第二金属盖,所述第二金属盖在所述第二电子组件上方的所述子面板衬底的所述顶侧上并且电耦合到所述导电结构的所述第二部分。所述方法进一步包括:提供第一盖,所述第一盖在所述第一电子组件上方的所述子面板衬底的顶侧上;以及第二盖,所述第二盖在所述第二电子组件上方的所述子面板衬底的所述顶侧上,其中所述盖子包括介电材料。在所述方法中,子面板衬底具有带状阵列形状因子。在所述方法中,所述子面板底座经由粘合剂固定到所述子面板衬底的所述第二侧。所述方法进一步包括在提供所述第一外部互连件和所述第二外部互连件之前,移除所述子面板底座。所述方法进一步包括:在所述子面板衬底的所述第二侧上提供支撑载体;在所述单元衬底上以及在所述支撑载体上提供子面板主体,所述子面板主体接触所述第一电子组件和所述第二电子组件的侧边;以及移除所述支撑载体。在所述方法中,其中所述子面板主体接触所述单元衬底的侧面。在所述方法中,通过所述子面板主体暴露所述第一电子组件或所述第二电子组件。在所述方法中,所述子面板衬底包括在所述子面板衬底的底侧上的底部包封物,并且所述底部包封物接触所述外部互连件的侧边。在所述方法中,在将所述子面板衬底切单之后移除所述支撑载体。在所述方法中,在所述个别单元衬底的所述第一侧上提供所述第一电子组件和所述第二电子组件之前移除所述子面板底座。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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