[发明专利]一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法有效
| 申请号： | 202011534487.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112630544B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王来利;李华清;杨成子;朱梦宇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/26;G06F30/3308 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 sic mosfet 漏源极间 非线性 电容 测量 建模 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；
2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容Cds’测量表征；
3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容Cds’测量表征进行SiC MOSFET漏源极间电容的建模；
米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征为：
其中，vds为漏源极电压，a、b及c为节点电压，A、B、C、D、E、F、G、H及I为拟合系数；
开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容Cds’测量表征为：
其中，ich为SiC MOSFET沟道电流，ids为SiC MOSFET导通电流，vds为漏源极电压，Cgd为米勒电容；
SiC MOSFET开通动态过程中栅源极电压为vgs，在开关过程中有一段时间栅源极电压vgs保持不变，构成米勒平台区，此时，漏源极电压vds下降，根据驱动电源电压Vgg及米勒平台处的栅源极电压VMiller，米勒电容Cgd的值为：
其中，Rg_in和Rg_dr分别为SiC MOSFET芯片内部和栅极驱动器的内部栅电阻，Rg_de为外加驱动电阻；
SiC MOSFET导通电流ids为：
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