[发明专利]一种有机高分子薄膜金属化方法及天线

说明书

本发明公开一种有机高分子薄膜金属化方法及天线，生成有机高分子薄膜；对所述有机高分子薄膜表面进行等离子活化；对等离子活化后的所述有机高分子薄膜进行加热处理；对加热处理后的所述有机高分子薄膜的表面进行物理气相沉积金属化；本发明采用物理气相沉积金属化，替代现有的金属压合工序，实现金属化的超薄化，同时在进行物理气相沉积金属化之前增加了等离子活化和加热处理，能够共同增加膜层的结合力，可以在实现超薄金属化的同时避免发生褶皱问题。

技术领域

本发明涉及一种薄膜天线制造方法，具体涉及一种有机高分子薄膜金属化方法及天线制品。

背景技术

NFC(Near Field Communication，近场通信)天线，在单一芯片上结合感应式读卡器和感应式卡片，具有点对点感应功能，可以在短距离内与兼容设备进行识别与数据交换，其作用距离10cm，工作频率13.56MHz。

目前NFC天线的主要结构包括粘胶、FPC天线、粘胶、铁氧体及覆盖膜。其中天线本体一般在0.2mm～0.4mm，天线整体厚度在0.25～0.45mm。目前电子产品的主要方向为超薄化，所以需要进一步减薄NFC天线的厚度和尺寸。

传统的有机高分子基Cu金属工艺，用的是压延Cu金属工艺，这种工艺基材和Cu金属偏薄以后，工业化生产中容易发生褶皱问题，而且目前压合工艺中Cu厚度应9um，Cu偏薄压合工艺不易实现。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种有机高分子薄膜金属化方法及天线，在实现超薄金属化的同时避免发生褶皱问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种有机高分子薄膜金属化方法，包括步骤：

生成有机高分子薄膜；

对所述有机高分子薄膜表面进行等离子活化；

对等离子活化后的所述有机高分子薄膜进行加热处理；

对加热处理后的所述有机高分子薄膜的表面进行物理气相沉积金属化。

本发明的有益效果在于：本发明提供的一种有机高分子薄膜金属化方法，采用物理气相沉积金属化，替代现有的金属压合工序，实现金属化的超薄化，同时在进行物理气相沉积金属化之前增加了等离子活化和加热处理，通过在超薄有机高分子薄膜表面采用等离子活化处理，可以改善膜层表面的活化能，并且在沉积前进行加热处理，利于后续进行PVD工艺，这样能够共同增加膜层的结合力，可以在实现超薄金属化的同时避免发生褶皱问题，从而为超薄NFC天线设计提供工艺支持。

附图说明

图1为本发明一种有机高分子薄膜金属化方法的步骤流程图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1，一种有机高分子薄膜金属化方法，包括步骤：

生成有机高分子薄膜；

对所述有机高分子薄膜表面进行等离子活化；

对等离子活化后的所述有机高分子薄膜进行加热处理；

对加热处理后的所述有机高分子薄膜的表面进行物理气相沉积金属化。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：本发明提供的一种有机高分子薄膜金属化方法，采用物理气相沉积金属化，替代现有的金属压合工序，实现金属化的超薄化，同时在进行物理气相沉积金属化之前增加了等离子活化和加热处理，通过在超薄有机高分子薄膜表面采用等离子活化处理，可以改善膜层表面的活化能，并且在沉积前进行加热处理，利于后续进行PVD工艺，这样能够共同增加膜层的结合力，可以在实现超薄金属化的同时避免发生褶皱问题，从而为超薄NFC天线设计提供工艺支持。