[发明专利]微机电系统装置、其制法与使用其的整合式微机电系统在审
申请号: | 202011535133.0 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113086939A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 张恒中;黄芝杰;蔡智雅;林靖渊 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 装置 制法 使用 整合 式微 机电 | ||
1.一种微机电系统装置,其特征在于,包括:
基板,具有至少一接点;
第一介电层,设置于该基板上;
至少一第一金属层,设置于该第一介电层上,且至少部分该第一金属层电连接于该接点;
第二介电层,设置于该第一介电层与该第一金属层上并具有凹槽结构;
结构层,设置于该第二介电层上并具有开口,其中该开口对应于该凹槽结构设置,且该开口的底部的截面积小于该凹槽结构的顶部的截面积;以及
填充层,至少部分设置于该开口与该凹槽结构中,
其中该第二介电层、该结构层与该填充层界定空腔。
2.如权利要求1所述的微机电系统装置,其中该开口的底部的截面积小于该开口的顶部的截面积。
3.如权利要求2所述的微机电系统装置,其中该填充层直接接触该第一介电层或该第二介电层。
4.如权利要求2所述的微机电系统装置,还包括:
牺牲层剩余部分,设置于该第二介电层与结构层之间,
其中该空腔位于该第二介电层、该牺牲层剩余部分、该结构层与该填充层之间。
5.如权利要求4所述的微机电系统装置,其中该结构层的该开口处在该凹槽结构中的投影具有端部,该端部与该凹槽结构的顶端在平行于该第二介电层的顶表面的方向上的最短距离大于或等于该牺牲层剩余部分的厚度。
6.如权利要求2所述的微机电系统装置,其中该第二介电层的顶表面与该凹槽结构的侧壁所夹的角度介于90至150度。
7.如权利要求2所述的微机电系统装置,其中该凹槽结构的侧壁具有弧度。
8.如权利要求2所述的微机电系统装置,其中该第一金属层包括第一部分与第二部分,该第一部分电连接于该接点,该第二部分与该接点电性绝缘。
9.如权利要求8所述的微机电系统装置,其中该填充层直接接触该第二部分。
10.如权利要求1所述的微机电系统装置,其中部分该填充层设置于该结构层上。
11.一种微机电系统装置的制造方法,包括:
提供基板,该基板具有至少一接点;
在该基板上形成第一介电层,其中该第一介电层具有至少一通孔,该通孔暴露该接点的部分顶表面;
在该第一介电层上形成至少一金属层,其中至少部分该金属层电连接于该接点;
在该第一介电层与该金属层上形成第二介电层,其中该第二介电层具有凹槽结构;
在该第二介电层上与该凹槽结构中形成牺牲层;
在该第二介电层与该牺牲层上形成结构层;
将部分该结构层移除以形成开口,该开口暴露出位于该凹槽结构中的该牺牲层;
将该牺牲层移除以暴露该凹槽结构,其中该开口的底部的截面积小于该凹槽结构的顶部的截面积;以及
形成填充层,其中至少部分该填充层形成于该开口与该凹槽结构中,且该第二介电层、该结构层与该填充层界定空腔。
12.如权利要求11所述的微机电系统装置的制造方法,其中该开口的底部的截面积小于该开口的顶部的截面积。
13.如权利要求12所述的微机电系统装置的制造方法,其中该填充层直接接触该第一介电层或该第二介电层。
14.如权利要求12所述的微机电系统装置的制造方法,其中该结构层的该开口处在该凹槽结构中的投影具有端部,该端部与该凹槽结构的顶端在平行于该第二介电层的顶表面的方向上的最短距离大于或等于该牺牲层的厚度。
15.如权利要求12所述的微机电系统装置的制造方法,其中该第二介电层的顶表面与该凹槽结构的侧壁所夹的角度介于90至150度。
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