[发明专利]涂层和包括所述涂层的涂覆的切削工具在审
申请号: | 202011535164.6 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113070500A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | Z.刘 | 申请(专利权)人: | 肯纳金属公司 |
主分类号: | B23B27/00 | 分类号: | B23B27/00;B23B27/14;B23C5/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 卢亚静 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 涂层 包括 切削 工具 | ||
1.一种涂层,其包括:
具有氧化铝基质以及所述氧化铝基质中的氧化锆晶粒和二氧化铪晶粒中的至少一种的层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的平均晶粒度为100nm或更小。
2.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在1nm至80nm的范围内。
3.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在1nm至40nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在40nm至80nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种包含具有四方晶体结构、单斜晶体结构和正交晶体结构中的至少一个的晶粒。
6.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种主要安置在所述氧化铝基质的晶粒内。
7.根据权利要求1所述的涂层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种主要安置在所述氧化铝基质的晶界处。
8.根据权利要求1所述的涂层,其中所述层具有0.1μm至25μm的厚度。
9.一种涂覆的切削工具,其包括:
具有前刀面(14)、后刀面(16)和在所述前刀面(14)与所述后刀面(16)的相交处形成的切削刃(12)的基体(10);以及
粘结到所述基体(10)的涂层,所述涂层包括具有氧化铝基质以及所述氧化铝基质中的氧化锆晶粒和二氧化铪晶粒中的至少一种的层,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的平均晶粒度为100nm或更小。
10.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在1nm至80nm的范围内。
11.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在1nm至40nm的范围内。
12.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种的所述平均晶粒度在40nm至80nm的范围内。
13.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种包含具有四方晶体结构、单斜晶体结构和正交晶体结构中的至少一个的晶粒。
14.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种主要安置在所述氧化铝基质的晶粒内。
15.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述氧化锆晶粒和所述二氧化铪晶粒中的所述至少一种主要安置在所述氧化铝基质的晶界处。
16.根据权利要求9所述的涂覆的切削工具,其中所述层具有0.1μm至25μm的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肯纳金属公司,未经肯纳金属公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011535164.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。