[发明专利]具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头

权利要求书

1.一种磁性读取头组件，包括：

第一屏蔽件；

第二屏蔽件，设置在所述第一屏蔽件之上；

双自由层结构，在面向介质表面处设置在所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间，所述双自由层结构包括：

磁性籽层，设置在所述第一屏蔽件之上；

第一自由层，设置在所述磁性籽层之上；和

第二自由层，设置在所述第一自由层之上；以及

非磁性间隔体层，在所述面向介质表面处设置在所述第一屏蔽件与双自由层结构的磁性籽层之间。

2.根据权利要求1所述的磁性读取头组件，其中所述非磁性间隔体层的厚度大于或等于约2nm，其中所述第一屏蔽件的厚度在约10nm至约2000nm之间，并且其中所述磁性籽层的厚度在约10nm至约60nm之间。

3.根据权利要求1所述的磁性读取头组件，其中所述非磁性间隔体层配置为使所述第一屏蔽件与所述磁性籽层解耦，并且其中所述非磁性间隔体层具有比所述第一自由层和所述第二自由层更大的从所述面向介质表面延伸到所述磁性读取头组件中的条带高度，以及比所述第一自由层和所述第二自由层更大的在所述面向介质表面处的跨轨道方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的磁性读取头组件，其中所述双自由层结构还包括：

非磁性籽层，设置在所述磁性籽层与所述第一自由层之间；

势垒层，设置在所述第一自由层与所述第二自由层之间；以及

帽层，设置在所述第二自由层与所述第二屏蔽件之间，其中选择所述非磁性间隔体层的材料和厚度以控制所述第一屏蔽件与所述磁性籽层之间的耦合强度。

5.根据权利要求1所述的磁性读取头组件，还包括设置为与所述双自由层结构相邻的后硬偏置结构，所述后硬偏置结构从所述面向介质表面凹陷。

6.根据权利要求1所述的磁性读取头组件，其中所述非磁性间隔体层被沉积为所述第一屏蔽件的一部分。

7.一种磁记录装置，包括根据权利要求1所述的磁性读取头组件。

8.一种磁性读取头组件，包括：

第一屏蔽件；

非磁性间隔体层，设置在所述第一屏蔽件上且与所述第一屏蔽件接触，所述非磁性间隔体层设置在面向介质表面处；

隧道磁阻传感器，设置在所述面向介质表面处的所述非磁性间隔体层上，所述隧道磁阻传感器包括：

磁性籽层，设置在所述非磁性间隔体层上且与所述非磁性间隔体层接触；

第一自由层，设置在所述磁性籽层之上；和

第二自由层，设置在所述第一自由层之上；以及

第二屏蔽件，设置在所述隧道磁阻传感器的第二自由层之上，

其中所述非磁性间隔体层配置为控制所述第一屏蔽件和所述磁性籽层的耦合。

9.根据权利要求8所述的磁性读取头组件，其中所述第一自由层和所述第二自由层具有在所述面向介质表面处的第一跨轨道宽度和从所述面向介质表面延伸到所述磁性读取头组件中的第一条带高度，并且其中所述非磁性间隔体层具有比所述第一跨轨道宽度更大的在所述面向介质表面处的第二跨轨道宽度和比所述第一条带高度更大的第二条带高度。

10.根据权利要求9所述的磁性读取头组件，其中所述非磁性间隔体层的厚度大于或等于约2nm，以使所述第一屏蔽件与所述磁性籽层解耦，并且其中所述非磁性间隔体层包括选自由Ru、Ta、CoHf、Cr、CoB或其组合构成的组的材料。