[发明专利]一种小尺寸Latch单元电路及Flash芯片有效

专利信息
申请号: 202011535598.6 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112466372B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 龙冬庆;刘梦;吴彤彤 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: G11C16/20 分类号: G11C16/20;G11C16/10
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 latch 单元 电路 flash 芯片
【权利要求书】:

1.一种小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,包括:

default值写入模块,在Flash芯片上电时对配置信息位写入default值数据;

数据写入模块,在配置信息位需更新数据时将输入数据信号Din写入配置信息位;

所述数据写入模块包括第一mos管nm1、第二mos管nm2、第三mos管nm3,所述第一mos管nm1的漏极与数据latch模块连接,第一mos管nm1的栅极连接写使能DUMP_EN,第一mos管nm1的源极与第二mos管nm2的漏极连接,第二mos管nm2的源极与第三mos管nm3的漏极连接,第三mos管nm3的源极连接输入数据信号Din,第二mos管nm2的栅极连接第一地址选择信号YA,第三mos管nm3的栅极连接第二地址选择信号YB;

数据latch模块,对配置信息位内的数据实现锁存;

数据输出模块,对配置信息位内的数据实现输出;

所述default值写入模块与数据latch模块连接,数据latch模块与数据写入模块连接,数据latch模块与数据输出模块连接。

2.根据权利要求1所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述第一mos管nm1、第二mos管nm2、第三mos管nm3均为nmos管。

3.根据权利要求1所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述数据latch模块包括第四mos管pm1、第五mos管nm4、第六mos管pm2、第七mos管pm3、第八mos管nm5和第九mos管nm6,所述第四mos管pm1的源极连接电源电压VDD,第四mos管pm1的漏极与第五mos管nm4的漏极连接,第五mos管nm4的源极接地,第五mos管nm4的栅极与第四mos管pm1的栅极连接在一起后与default值写入模块连接,第五mos管nm4的栅极与第四mos管pm1的栅极连接在一起后与数据输出模块2连接;第六mos管pm2的源极连接电源电压VDD,第六mos管pm2的的漏极与第七mos管pm3的源极连接,第七mos管pm3的漏极与第八mos管nm5的漏极连接,第八mos管nm5的源极与第九mos管nm6的漏极连接,第九mos管nm6的源极接地,第六mos管pm2的栅极与第九mos管nm6的栅极连接在一起后与第四mos管pm1的漏极连接,第七mos管pm3的栅极连接第一锁存信号LATCH,第八mos管nm5的栅极连接第二锁存信号LATCH_B,所述第二锁存信号LATCH_B为第一锁存信号LATCH的取反;第五mos管nm4的栅极与第四mos管pm1的栅极连接在一起后与第七mos管pm3的漏极连接,第六mos管pm2的栅极与第九mos管nm6的栅极连接在一起后连接数据输出模块。

4.根据权利要求3所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述第四mos管pm1、第六mos管pm2、第七mos管pm3采用pmos管,第五mos管nm4、第八mos管nm5和第九mos管nm6采用nmos管。

5.根据权利要求1所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述数据输出模块包括第十mos管pm4和第十一mos管nm7,所述第十mos管pm4的源极连接电源电压VDD,第十mos管pm4的栅极和第十一mos管nm7的栅极连接在一起后与数据latch模块连接,第十mos管pm4的漏极与第十一mos管nm7的漏极连接,第十一mos管nm7的源极接地,第十mos管pm4的漏极作为数据输出端,对配置信息位内的数据实现输出。

6.根据权利要求5所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述第十mos管pm4采用pmos管,第十一mos管nm7采用nmos管。

7.根据权利要求1所述的小尺寸Latch 单元电路,其特征在于,所述default值写入模块包括第十二mos管pm5,所述第十二mos管pm5的源极连接电源电压VDD,第十二mos管pm5的漏极与数据latch模块连接,第十二mos管pm5的栅极连接第一上电控制信号PRECHB,当default 值为1时,第十二mos管pm5的漏极与数据写入模块连接。

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