[发明专利]一种内嵌元件的封装方法及封装结构

说明书

本发明公开一种内嵌元件的封装方法及封装结构，该内嵌元件的封装方法，包括：采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合，形成一级结构；将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面，形成DAF层；在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔；在导通孔内填充金属核球，金属核球之间结合形成导电柱；将引线框架刻出图案；该内嵌元件的封装结构包括：引线框架；半导体元件，其背面结合于导电部的正面；DAF层；半导体元件的正面电极接点由DAF层露出；DAF层设有导通孔；导电柱填充于导通孔，导电柱包括若干相互连接的金属核球。该内嵌元件的封装方法及封装结构，缩小了产品体积，简化了方法和结构，引线框架可用于散热，导电柱的导通性能好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种内嵌元件的封装方法及封装结构。

背景技术

近年来随着便携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、小的趋势发展。

在许多集成电路产品中，一般先采用封装材料封装半导体元器件，再将半导体元器件封装件以及其他电子元件安上基板（如电路板）；如此，在电子系统中，封装材料以及基板占用了封装空间，且半导体元器件封装件占据基板的表面区域，不利于实现产品的小型化；并且，整个封装结构的结构复杂，制造过程复杂。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于：提供一种内嵌元件的封装方法，其将半导体元件嵌入基板内，有利于实现产品的小型化，且整个封装结构更加简单，散热性能佳。

本发明实施例的另一个目的在于：提供一种内嵌元件的封装结构，其将半导体元件嵌入基板内，有利于实现产品的小型化，且整个封装结构更加简单，散热性能佳。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种内嵌元件的封装方法，包括：

提供引线框架和半导体元件，采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合，形成一级结构；

提供DAF材料，将所述DAF材料覆盖并压合于所述一级结构的正面，在所述一级结构的正面形成DAF层，所述半导体元件的正面的电极接点由所述DAF层露出；

在所述DAF层加工贯通的导通孔；

将若干金属核球放至所述导通孔，所述金属核球包括金属球以及包覆于所述金属球的外部的焊料层；通过所述焊料层熔融再固化，使所述金属核球之间连接形成导电柱；

将引线框架刻出图案，形成若干与所述导电柱电连接的导电部。

作为优选，还包括：在半导体元件的正面的电极接点、以及在所述导电柱上植焊球。

作为优选，还包括：提供电子元件，采用导电结合材料将电子元件与导电部的背面结合。

作为优选，通过镭射钻孔的加工工艺，在所述DAF层加工所述导通孔；

通过光刻工艺、或通过蚀刻工艺在所述引线框架刻出图案。

一种内嵌元件的封装结构，包括：

引线框架，其为图案化导电层，其包括若干导电部；

半导体元件，其背面通过第一结合层结合于所述导电部的正面，其正面设有电极接点；

DAF层，其覆盖所述引线框架的正面，以及所述半导体元件；所述半导体元件的正面所述电极接点由所述DAF层露出；所述DAF层设有导通孔；

导电柱，其包括填充于所述导通孔内的若干金属核球，所述金属核球包括金属球以及包裹于所述金属球外部的焊料层，相邻所述焊料层连接；所述导电柱与所述导电部连接，另一端由所述DAF层露出。

作为优选，还包括电子元件，所述电子元件的正面通过导电的第二结合层与所述导电部的背面结合。