[发明专利]硅片处理设备

权利要求书

1.一种硅片处理设备，包括硅片处理装置，所述硅片处理装置包括一具有容纳腔体的柜体，所述柜体的第一侧壁上设置有入口，所述入口处设置有片盒上载台，其特征在于，还包括离子风机和排风结构；

所述离子风机设置于所述柜体的顶部，用于在片盒进入所述柜体之前对片盒提供离子风以消除片盒静电，并去除片盒上的污染物；

所述排风结构包括与真空设备连接的排风管道，所述排风管道设置于所述第一侧壁上，且所述排风管道的进口位于所述离子风机与所述柜体的入口之间，用于吸取并排出由离子风吹起的污染物。

2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，还包括用于运输片盒至所述片盒上载台的运输装置，所述离子风机位于片盒的运输路径上。

3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述离子风机设置于所述柜体的顶部靠近所述第一侧壁的区域，所述运输装置将片盒运输至与所述离子风机的出风口正对时，所述排风管道的进口朝向片盒与所述离子风机出风口之间的缝隙。

4.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述离子风机的出风口的外部包覆有壳体，所述壳体包括使得所述出风口外露的开口，所述开口与所述入口位于所述柜体的同一侧。

5.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体包括容纳所述出风口的第一区域，以及能够容纳部分片盒的第二区域。

6.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁靠近所述开口的一端具有第一缺口，所述第三侧壁靠近所述开口的一端具有第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口的形状相同，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。

7.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁的一个边缘设置有第一缺口，沿所述第一缺口向靠近所述第三侧壁的方向垂直延伸，并贯穿所述第三侧壁，在所述第三侧壁上形成第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口之间的区域形成所述开口，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。

8.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体包括位于所述出风口靠近所述片盒上载台的一侧的底壁，所述壳体上与所述底壁相对设置的一侧敞口设置，所述底壁设置有第三缺口，使得片盒能够沿垂直于水平面的竖直方向、穿过所述第三缺口。