[发明专利]具有过流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种具有电流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，其特征在于，包括一级驱动电路、过流检测电路、二级驱动电路和MOSFET，其中MOSFET包括并联设置的第一大电流MOSFET(Q1)和第二大电流MOSFET(Q2)；

所述一级驱动电路用于进行过流检测，一级驱动电路的端口IN接收控制侧的PWM信号；端口CS与过流检测电路连接，进行过流判断；端口FAULT将过流信号反馈到控制侧，发出过流警报；

所述过流检测电路用于检测流过MOSFET的电流大小，并将电流数据传输至一级驱动电路；

所述二极驱动电路输入侧与一级驱动电路连接，输出侧与MOSFET的栅极连接，用于驱动MOSFET。

2.根据权利要求1所述的具有电流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，其特征在于，所述一级驱动电路包括第一电容(C1)、第四电容(C4)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电阻(R8)以及第一驱动芯片IRS2127；

所述第一驱动芯片的Vcc端、第四电容(C4)的第一端、第七电容(C7)的第一端均接入电源Vcc，第七电容(C7)的第二端接地GND；第四电容(C4)的第二端、第一驱动芯片的端口COM接地GND；第一电容(C1)串接于第一驱动芯片的端口VB、端口VS之间，第一驱动芯片的端口VB接入电源Vcc；第六电容(C6)串接于第一驱动芯片的端口CS、端口VS之间；第八电阻(R8)的第一端与第一驱动芯片的端口HO连接，控制侧的PWM信号接入第一驱动芯片的端口IN，第一驱动芯片的端口FAULT接入控制侧的FPGA。

3.根据权利要求2所述的具有电流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，其特征在于，所述二级驱动电路包括第二电容(C2)、第三电容(C3)、第五电容(C5)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第二二极管(D2)以及第二驱动芯片1EDNI60N12AF；

所述一级驱动电路中第八电阻(R8)的第二端接入第二驱动芯片的端口IN1；第二驱动芯片的端口IN2、端口GND与一级驱动电路中第一驱动芯片的端口VS连接后，公共端接入MOSFET的源极；第五电容(C5)串接于第二驱动芯片的端口VCC1、端口GND1之间，第三电容(C3)串接于第二驱动芯片的端口GND1、端口GND2之间，第二二极管(D2)的正极接入第二驱动芯片的端口GND2、负极接入第二驱动芯片的端口GND1；第二电容(C2)串接于第二驱动芯片的端口VCC2、端口GND2之间，第二驱动芯片的端口VCC2接电源VCC；第二驱动芯片的端口OUT1分别接入第二电阻(R2)、第四电阻(R4)的第一端，第二驱动芯片的端口OUT2分别接入第一电阻(R1)、第三电阻(R3)的第一端；第一电阻(R1)、第二电阻(R2)的第二端均接入第五电阻(R5)的第一端，第五电阻(R5)的第一端接入第二大电流MOSFET(Q2)的栅极；第三电阻(R3)、第四电阻(R4)的第二端均接入第六电阻(R6)的第一端，第六电阻(R6)的第一端接入第一大电流MOSFET(Q1)的栅极。

4.根据权利要求3所述的具有电流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，其特征在于，所述过流检测电路包括第七电阻(R7)、第九电阻(R9)和第一二极管(D1)；

所述一级驱动电路CS端口的B点与第七电阻(R7)、第九电阻(R9)的第一端连接，所述第九电阻(R9)的第二端与第一二极管(D1)正极连接，所述第一二极管(D1)的负极与第一大电流MOSFET(Q1)和第二大电流MOSFET(Q2)的漏极连接；

当所述第一大电流MOSFET(Q1)或第二大电流MOSFET(Q2)发生短路，导致一级驱动电路中第一驱动芯片的端口CS的B点电压升高，端口CS通过内部比较电路判断是否发生过流现象，如果发生过流现象则通过第一驱动芯片的端口FAULT将过流信息反馈到控制侧，发出过流警报。

5.根据权利要求4所述的具有电流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，其特征在于，所述二极驱动电路最大栅极驱动电流为10A，用于开通和关断第一大电流MOSFET(Q1)和第二大电流MOSFET(Q2)。