[发明专利]发光显示装置在审
申请号: | 202011537006.4 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113130580A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 尹成志 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵彤;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
1.一种发光显示装置,所述发光显示装置包括:
堤部,所述堤部被配置为使彼此相邻的第一发光部和第二发光部开口;
第一阳极和第二阳极,所述第一阳极和所述第二阳极分别位于所述第一发光部和第二发光部中,并且彼此间隔开;
电极图案,所述电极图案被配置为被堤部覆盖并且与所述第一阳极和所述第二阳极间隔开;
第一公共层和第二公共层,所述第一公共层和所述第二公共层位于所述第一阳极和所述第二阳极以及堤部上,并且被配置为具有不同的载流子迁移率;
第一发光层和第二发光层,所述第一发光层和所述第二发光层分别位于所述第一发光部和所述第二发光部中的所述第二公共层上;以及
阴极,所述阴极位于所述第一发光层和所述第二发光层上。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,当向所述电极图案施加电压时,经由所述堤部在垂直方向上从所述第一公共层到所述第二公共层形成沟道。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,施加比施加到所述阴极的接地电压高的电压或与所述电压具有差值的负电压作为所述电压。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一阳极和所述第二阳极与所述堤部的相应区域的边缘部分地交叠。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述电极图案的宽度小于所述第一阳极与所述第二阳极之间的距离。
6.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第一公共层的空穴迁移率高于所述第二公共层的空穴迁移率。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述电极图案中的至少一个围绕所述第一发光部中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述电极图案中的至少一个为与相邻的所述第一发光部和第二发光部平行的线状。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,与施加到所述阴极的电压不同的电压被施加到所述电极图案。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部的被配置为与所述电极图案交叠的区域的第一厚度小于所述堤部的被配置为不与所述电极图案交叠的区域的第二厚度。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中,所述第一厚度在10nm至1000nm的范围内。
12.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氧化物膜和氮化物膜中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述电极图案的厚度大于所述第一阳极和所述第二阳极的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的