[发明专利]一种基于MOSFET的过流检测保护电路

权利要求书

1.一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，包括检测电路和保护电路，所述检测电路用于对MOSFET晶体管过流的检测，所述保护电路用于MOSFET晶体管的过流保护，所述保护电路包括门极驱动模块和放大电路模块，门极驱动模块接收来自检测电路的检测信号，并触发门极驱动模块的内部逻辑，发生过流现象时关断MOSFET的驱动信号。

2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述放大电路模块包括放大器、电阻R_G和MOS管，所述放大器的输出端与电阻R_G的一端相连接，所述电阻R_G的另一端与MOS管G极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述MOS管为一个带有寄生二极管的N沟道MOS管。

4.根据权利要求3所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述检测电路包括二极管D1、二极管D2、检测电容和外部电阻，所述二极管D1和外部电阻并联，二极管D2和检测电容并联且二极管D1正极与二极管D2负极相连，所述二极管D2正极与MOS管S极相连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述检测电路还包括电阻R1和检测二极管，所述电阻R1和检测二极管串联，电阻R1一端与二极管D1的正极相连，一端与检测二极管的正极相连接，所述检测二极管的负极与MOS管D极相连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述检测电路还包括电源V_CC、恒流源、比较器和参考电压，所述参考电压负极与二极管D2正极相连接，参考电压正极与比较器输入端的负极相连接；

所述恒流源正极与二极管D1负极相连接，恒流源负极与二极管D1正极相连接且接到比较器输入端正极；

所述电源V_CC与二极管D1负极相连接。

7.根据权利要求2或6所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述放大器输入端与门极驱动模块相连接，所述比较器输出端与门极驱动模块相连接。

8.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的过流检测保护电路，其特征在于，所述检测电路通过比较检测电容与参考电压之间的电压差，当电压差大于0时发生过流现象，比较器输出高电平，门极驱动模块接收来自比较器的高电平后则会触发门极驱动模块的内部逻辑关断MOSFET的驱动信号。