[发明专利]用于补偿功率半导体器件中窄带失真的系统和方法在审
申请号: | 202011537629.1 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113098406A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | P·J·普拉特;陈东;M·克普;C·迈尔;P·钱德拉塞卡兰;S·萨默菲尔德 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/21 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张丹 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 补偿 功率 半导体器件 窄带 失真 系统 方法 | ||
1.一种射频(RF)功率半导体器件,其中,该器件包括:
第一非线性滤波器网络,被配置为补偿功率放大器的窄带失真,其中,所述第一非线性滤波器网络包括被配置为对所述功率放大器的非线性部分进行校正的校正元件;和
第二非线性滤波器网络,被配置为补偿所述功率放大器的宽带失真。
2.权利要求1所述的器件,其中所述第一非线性滤波器网络包括串联布置的第一多个无限冲激响应(IIR)滤波器。
3.权利要求2所述的器件,其中所述第一多个IIR滤波器中的第一滤波器包括低通滤波器(LPF)。
4.权利要求3所述的器件,其中所述第一多个IIR滤波器中的第二滤波器包括全通滤波器。
5.权利要求2所述的器件,其中所述第一多个IIR滤波器彼此正交。
6.权利要求1所述的器件,其中所述第一非线性滤波器网络包括N组IIR滤波器,其中所述N组IIR滤波器中的每个具有串联布置的M个IIR滤波器,其中所述N组IIR滤波器并联布置。
7.权利要求6所述的器件,还包括与所述N组IIR滤波器相对应的1至N个校正元件,其中在所述校正信号传播通过对应的N组IIR滤波器之前,该1至N个校正元件对所述功率放大器的非线性部分进行校正。
8.权利要求7所述的器件,其中对所述功率放大器的非线性部分的校正包括针对所述1至N个校正元件中的每个校正元件对所述信号的幅度施加指数。
9.权利要求1所述的器件,其中所述器件还包括:
功率放大器,其中所述功率放大器包括化合物半导体功率放大器,以及
当所述化合物半导体功率放大器从低功率充电到高功率时,所述窄带失真由电荷捕获效应引起。
10.权利要求9所述的器件,其中所述化合物半导体功率放大器包括氮化镓(GaN)功率放大器。
11.权利要求1所述的器件,还包括:
下采样器,对输入信号进行下采样,并将下采样后的信号传输至所述第一非线性滤波器网络;和
上采样器,以对所述第一非线性滤波器网络的输出进行上采样。
12.权利要求1所述的器件,还包括:
混频器,将所述第一非线性滤波器网络的输出与所述第一非线性滤波器网络的输入混频;和
第一缓冲器,被配置为延迟所述第一非线性滤波器网络的输入以使所述信号的时序与所述第一非线性滤波器网络的输出相匹配。
13.权利要求12所述的器件,还包括:第二缓冲器,被配置为使所述混频器的输出与所述输出延迟,以使所述时序与所述FIR滤波器的输出匹配。
14.权利要求1所述的器件,其中所述第二非线性滤波器网络包括多个有限无限响应(FIR)滤波器。
15.权利要求1所述的器件,其中所述第一非线性滤波器网络包括拉盖尔滤波器。
16.一种射频(RF)功率半导体器件,其中,该器件包括:
第一非线性滤波器网络,被配置为补偿功率放大器的窄带失真,其中,所述第一非线性滤波器网络包括多个无限冲激响应(IIR)滤波器和相应的用于校正所述功率放大器的非线性部分的校正元件。
17.权利要求16所述的器件,其中所述多个IIR滤波器包括拉盖尔滤波器。
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