[发明专利]半导体装置及其接合方法

权利要求书

1.一种半导体装置的接合方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构具有第一基板、第一金属特征及绝缘层，其中所述第一金属特征设置于所述第一基板上，且所述绝缘层设置于所述第一金属特征上，其中所述绝缘层具有开口，所述开口露出所述第一金属特征；

提供第二半导体结构，所述第二半导体结构具有第二基板及第二金属特征，所述第二金属特征位于所述第二基板下方；

将所述第一半导体结构接触所述第二半导体结构，使得所述第二金属特征位于所述绝缘层的所述开口内；以及

对所述第二金属特征执行电镀工艺，使得所述第二金属特征延伸并接触所述第一金属特征。

2.如权利要求1所述的接合方法，其特征在于，所述第二基板具有金属柱，所述金属柱从所述第二基板上方露出并电性连接所述第二金属特征，进而形成用于所述电镀工艺的导电路径。

3.如权利要求1所述的接合方法，其特征在于，所述第一半导体结构还包括第一介电层及导电线，所述第一介电层设置于所述第一基板及所述绝缘层之间，其中所述导电线位于所述第一介电层内并且接触所述第一金属特征。

4.如权利要求2所述的接合方法，其特征在于，所述第二半导体结构还包括第二介电层及金属导线，所述第二介电层设置于所述第二基板及所述第二金属特征之间，且所述金属导线位于所述第二介电层内并接触所述金属柱及所述第二金属特征。

5.如权利要求2所述的接合方法，其特征在于，所述第二半导体结构的所述金属柱、所述金属导线及所述第二金属特征包括相同的金属材料。

6.如权利要求2所述的接合方法，其特征在于，还包括：

从所述第二基板上方执行平坦化工艺，使得所述金属柱露出于所述第二基板；

在所述第二基板上形成第三介电层，所述第三介电层具有通孔，所述通孔暴露所述金属柱；以及

填充所述通孔以形成接触窗，其中所述接触窗连接所述金属柱。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一半导体结构，包括第一基板、第一金属特征及绝缘层，其中所述第一金属特征设置于所述第一基板上，且所述绝缘层设置于所述第一金属特征上，其中所述绝缘层具有开口，所述开口暴露所述第一金属特征；以及

第二半导体结构，包括第二基板及第二金属特征，所述第二金属特征位于所述第一基板下方，且所述第二基板具有金属柱，所述金属柱经由金属导线连接所述第二金属特征，其中所述绝缘层的所述开口用以容置所述第二金属特征。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘层的所述开口的容置空间大于或等于所述第二金属特征的体积。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体结构还包括第二介电层及第三介电层，其中所述基板位于所述第二介电层及所述第三介电层之间。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体结构还包括晶种层，所述晶种层的一部分位于所述第三介电层内并接触所述金属柱。