[发明专利]一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法

说明书

一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法，在干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行：使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物，混合温度为T₂，185℃＜T₂＜205℃，按质量分数有机结晶促进剂含量为x，0＜x＜0.05％；将混合物放入平板硫化机热压定型，定型时间为t₂，5min＜t₂＜20min，温度为T₂，压强为n，20MPa＜n＜45MPa；保持压强不变，使用缓慢冷却装置，使得混合物从T₂降温至T₃，90℃＜T₃＜140℃，冷却时间为t₃，25min＜t₃＜35min；取出薄膜式样后，继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T₄，20℃＜T₄＜30℃，冷却时间为t₄，15min＜t₄＜30min，即得到聚丙烯改性薄膜。本发明提升薄膜击穿强度，避免绝缘失效故障的发生。

技术领域

本发明涉及一种聚丙烯薄膜。特别是涉及一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法。

背景技术

高压直流金属化薄膜电容器在在换流站中起到滤波、电压支撑、均压和阻尼作用，是智能电网和新能源发电的核心装备。随着电压等级的升高，对于电容器用聚丙烯绝缘的耐压等级要求也逐渐提高，而聚丙烯薄膜的电气特性与其微观结构息息相关。在实际运行过程中，聚丙烯薄膜在电-热长期作用下，微观结构受到破坏，产生电弱点，可能最终引起绝缘故障，从而威胁到整个直流输电系统的安全稳定运行。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种可以实现聚丙烯薄膜结晶形态调控的电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法。

本发明所采用的技术方案是：一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法，是在依次设置的干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行，是通过促进聚丙烯分子链缠结，完善聚丙烯薄膜的微观晶区，限制载流子迁移，具体包括如下步骤：

1)使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物，混合温度为T₂，185℃＜T₂＜205℃，按质量分数有机结晶促进剂含量为x，0＜x＜0.05％；

2)将混合物放入平板硫化机热压定型，定型时间为t₂，5min＜t₂＜20min，温度为T₂，压强为n，20MPa＜n＜45MPa；

3)保持压强不变，使用缓慢冷却装置，使得混合物从T₂降温至T₃，90℃＜T₃＜140℃，冷却时间为t₃，25min＜t₃＜35min；

4)取出薄膜式样后，继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T₄，20℃＜T₄＜30℃，冷却时间为t₄，15min＜t₄＜30min，即得到聚丙烯改性薄膜。

步骤1)所述的有机结晶促进剂液体，是分子中含有亲无机基团和亲有机基团。

所述的有机结晶促进剂液体是γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，或者是γ―氨丙基三乙氧基硅烷，或者是铝酸酯偶联剂DL-411。

本发明的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法，提供具有致密微观结构的薄膜改性方法，可以实现聚丙烯薄膜结晶形态调控，通过促进聚丙烯分子链缠结，对成核中心的增加以及对成核形貌的控制，完善聚丙烯薄膜的微观晶区，限制载流子迁移，实现对聚丙烯薄膜的结晶形态优化，提升薄膜击穿强度，避免绝缘失效故障的发生，达到提升薄膜电气性能的目的，操作简易且成本低廉。

附图说明