[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202011539006.8 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113035741A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 平井孝典 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金辉;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,通过对基板加热及对其周围空间减压来干燥在所述基板的主面上形成的涂敷膜,其中,
所述基板处理装置具有:
腔室,具有能够将所述基板以水平姿势收纳的处理空间;
支撑部,在所述处理空间内,与所述基板的下表面相抵接并从下方支撑所述基板;
矫正构件,与由所述支撑部支撑的所述基板的上表面部分地抵接,从而矫正所述基板的翘曲;
加热部,在所述处理空间内,加热由所述支撑部支撑的所述基板的下表面;
减压部,对所述处理空间减压。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述加热部具有被控制升温至规定温度的热板,所述热板的上表面的平面尺寸大于或等于所述基板,
所述支撑部使所述基板与所述热板的所述上表面隔开规定间隙地相向,并支撑所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
在比由所述支撑部支撑的所述基板更低的位置处,设置有加热所述基板的周缘部的第二加热部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述第二加热部加热所述腔室的底部。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述支撑部支撑所述基板并使所述基板升降移动。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述腔室具有下侧单元和上侧单元,所述下侧单元设置有所述支撑部和所述加热部,所述上侧单元设置有所述矫正构件,
所述上侧单元与所述下侧单元能够卡合,所述上侧单元封闭所述下侧单元的上部,从而形成所述处理空间,
若所述上侧单元与所述下侧单元卡合,则所述矫正构件的下端定位于与由所述支撑部支撑的所述基板的上表面的铅垂方向位置相对应的高度。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置具有:调整机构,调整所述上侧单元与所述下侧单元卡合时所述矫正构件的下端的铅垂方向位置。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述矫正构件与所述基板的上表面周缘部相抵接。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
俯视时,所述矫正构件在比所述基板的由所述支撑部支撑的区域更靠近外侧的位置与所述基板相抵接。
10.一种基板处理方法,加热基板并对其周围空间减压来干燥在所述基板的主面上形成的涂敷膜,其中,
所述基板处理方法包括:
在加热所述基板的加热部配置在内部的处理空间的腔室内,支撑部与所述基板的下表面相抵接,并在所述加热部的上方与所述加热部隔开规定间隙地支撑所述基板,
使矫正构件与由所述支撑部支撑的所述基板的上表面部分地抵接,从而矫正所述基板的翘曲,
对所述处理空间减压并通过所述加热部加热所述基板,从而干燥所述涂敷膜。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
通过第二加热部加热所述基板的周缘部,所述第二加热部设置在比由所述支撑部支撑的所述基板更低的位置上。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法,其中,
所述加热部具有被控制升温至规定温度的热板,所述热板的上表面的平面尺寸大于或等于所述基板,
所述支撑部使所述基板与所述热板的所述上表面隔开规定间隙地相向,并支撑所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造