[发明专利]具有与晶体管栅极叠层分离的铁电电容器的存储器单元

权利要求书

1.一种集成电路（IC）装置，包括：

支持结构；

所述支持结构之上的晶体管，所述晶体管包括栅极叠层；

铁电（FE）电容器，所述FE电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极和包含所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的FE材料的电容器绝缘体，

其中所述FE电容器与所述栅极叠层分离，并且互连结构被配置成将所述栅极叠层和所述第一电容器电极电耦合。

2.如权利要求1所述的IC装置，其中：

所述IC装置进一步包含所述栅极叠层之上的后道（BEOL）层，

所述第一电容器电极是在所述BEOL层中的开口的侧壁和底部上的第一电导电材料的衬里，

所述电容器绝缘体是在衬有所述第一电导电材料的开口的侧壁和底部上的FE材料的衬里，

所述第二电容器电极是填充衬有所述第一电导电材料和所述FE材料的开口的至少一部分的第二电导电材料，以及

所述互连结构在所述BEOL层中。

3.如权利要求2所述的IC装置，其中，所述BEOL层中的所述开口的中心轴与所述栅极叠层的中心轴基本对齐。

4.如权利要求2所述的IC装置，其中，所述开口的中心轴与所述互连结构的中心轴基本对齐。

5.如权利要求4所述的IC装置，其中，所述互连结构是填充有或衬有一种或多种电导电材料的通孔。

6.如权利要求2所述的IC装置，其中：

所述晶体管是第一晶体管，并且所述IC装置进一步包含在所述支持结构之上的第二晶体管，所述第二晶体管包括栅极叠层，

所述BEOL在所述第二晶体管的栅极叠层之上，

所述FE电容器是第一电容器，并且所述IC装置进一步包含第二FE电容器，

所述互连结构是第一互连结构，并且所述IC装置进一步包含第二互连结构，所述第二互连结构被配置成将所述第二晶体管的所述栅极叠层和第二电容器的第一电容器电极电连接。

7.如权利要求6所述的IC装置，其中，所述第一晶体管的源极或漏极（S/D）端子耦合到所述第二晶体管的S/D端子。

8.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述栅极叠层包含栅极电极材料，并且所述互连结构被配置成将所述栅极电极材料和所述第一电容器电极电连接。

9.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述第二电容器电极耦合到字线（WL）。

10.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述晶体管包含：

耦合到位线（BL）的第一源极/漏极（S/D）端子，以及

耦合到选择线（SL）的第二S/D端子。

11.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述晶体管包含成形为远离基底延伸的鳍的半导体材料。

12.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述FE材料包含以下项中的一种或多种：

包含铪、锆和氧的材料，

包含硅、铪和氧的材料，

包含锗、铪和氧的材料，

包含铝、铪和氧的材料，

包含钇、铪和氧的材料，以及

钙钛矿材料。

13.如权利要求1-7中任一项所述的IC装置，其中，所述FE材料是薄膜FE材料。