[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202011540023.3 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112736143B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 黄茜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提出了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管层,薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件;其中,第一薄膜晶体管包括第一有源层,第一有源层包括第一沟道部以及位于第一沟道部两侧的第一导体部;遮蔽构件至少包括位于第一有源层上的第一遮蔽层,第一遮蔽层与第一导体部具有第一重叠部分。本申请通过遮蔽构件的设置,利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散,提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性,改善了显示面板的产品质量。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着人们对显示面板的品质需求的提升,如何改善显示面板的产品质量是显示面板的一大改进方向。
现有的显示面板中的薄膜晶体管,尤其是氧化物薄膜晶体管,在制造中涉及多步高温制程,使显示面板中其他膜层,如平坦化层、绝缘层等中的氢元素扩散至有源层中,影响有源层中氧元素的掺杂比例,导致薄膜晶体管的性能降低、薄膜晶体管的稳定性难以提高。
因此,亟需一种显示面板及显示装置以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及显示装置,用于解决显示面板的薄膜晶体管在高温制程中由于氢元素扩散至有源层导致薄膜晶体管性能受影响且稳定性难以提高的问题。
为了解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供了一种显示面板,包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件;
其中,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部;
所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层,所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。
本申请提供的显示面板中,所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一源漏极层,所述第一源漏极层包括第一接触部以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极,所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一遮蔽层之间,所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部与所述第一遮蔽层电连接;或者,
所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一有源层之间,所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部电连接,所述第一接触部贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极之间的膜层。
本申请提供的显示面板中,所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一栅极,所述第一遮蔽层与所述第一栅极同层设置,所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧,所述第一遮蔽层与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。
本申请提供的显示面板中,所述第一遮蔽层包括第一开口,所述第一接触部贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层,并与所述第一导体部电连接。
本申请提供的显示面板中,所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层上的第二遮蔽层,所述第二遮蔽层与所述第一源漏极层同层设置,所述第二遮蔽层与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置;或者,
所述第二遮蔽层与所述第一源极或所述第一漏极一体设置。
本申请提供的显示面板中,所述第二遮蔽层的宽度大于或等于位于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层的间距。
本申请提供的显示面板中,所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第二栅极,所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第三遮蔽层;
其中,所述第三遮蔽层与所述第一导体部具有第二重叠部分,位于所述第一沟道部至少一侧的所述第一导体部对应的所述第三遮蔽层与所述第二栅极一体设置。
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