[发明专利]表面处理组合物及使用其的表面处理方法

说明书

本发明涉及一种表面处理组合物及使用其的表面处理方法，更详细地，涉及一种包括双子表面活性剂及pH调节剂的表面处理组合物及使用其的表面处理方法。

技术领域

本发明涉及一种表面处理组合物及使用其的表面处理方法。

背景技术

微电子装置晶片用于形成集成电路。微电子装置晶片包括硅等晶片,晶片内具有图案化的区域，其用于沉积具有绝缘性、导电性或反导电性特性的不同材料。为了获得更准确的图案化，必须除去晶片上的用于形成层而使用的过量物质。此外，为了制造功能性及可靠性电路，在进行后续处理之前，制造平平的或平坦的微电子晶片表面尤为重要。因此，需要去除和/或抛光微电子装置晶片的特定表面。

化学机械性抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)是指从微电子装置晶片的表面去除任意物质，通过协同操作如抛光等物理制程与氧化或者螯合化等化学制程对其表面进行抛光的制程。在最基本的形态上，CMP将浆料，例如抛光剂以及活性化合物的溶液，通过抛光麦克电子装置晶片表面，进行除去、平坦化或涂覆在用于完成抛光制程的抛光垫。在制造集成电路时，CMP浆料还要能够优先除去包括金属和其他物质的复合层的膜，以使高度平坦的表面为后续的回力图或图案化、蚀刻和薄膜处理生成。

此外，为了去除半导体设备制造过程中产生的粒子、金属原子、有机物等污染物质，并提高装置的可靠性，可以进行洗涤制程。但一般用于抛光后洗涤的洗涤液组合物，由于硷性溶液中存在丰富的OH^-，可通过较量抛光粒子与晶片表面，可容易通过电子性斥力除去抛光粒子，但无法有效地去除洗涤后的晶片面的金属污染物、有机残留物等杂质。另外，如果洗涤液组合物的pH值超过8，则由于盐基化合物的蚀刻作用，晶片表面容易变得粗糙。因此，在尽量减少表面损伤的同时，需要用于洗涤制程前表面处理的组合物，以有效消除残留粒子、有机污染物及金属污染物。

发明内容

要解决的技术问题

本发明的目的在于解决上述问题，为此提供一种表面处理组合物，其可以在用于半导体设备的晶片进行化学机械性抛光后执行的表面处理制程中，通过尽量减少表面损伤，并降低表面特性，如表面张力，从而有效地除去残留粒子、有机污染物及金属污染物，由此减少缺陷。

本发明的另一目的在于提供一种使用根据本发明的表面处理组合物的表面处理方法。

然而，本发明要解决的问题并非受限于上述言及的问题，未言及的其他问题将通过下面的记载由本领域普通技术人员所明确理解。

解决问题的技术方法

根据本发明的一实施例，涉及一种表面处理组合物，其包括：包括由化学式1表示的化合物、由化学式2表示的化合物或两者的双子表面活性剂；以及pH调节剂。

[化学式1]

[化学式2]

(在所述化学式1及所述化学式2中，R₁至R₆可以分别从氢、卤素、具有1至20个碳原子的直链或支链烷基、羟基(-OH)、具有1至5个碳原子的氧化烯基、-(R’)m-(R”)n共聚物、-O-A及-R’-A(R’和R”分别从具有1至5个碳原子的氧化烯基中选择，R’和R”彼此不同，A为阴离子基团，m和n分别从1至100中选择)中选择。)