[发明专利]SMD石英晶体谐振器抗冲击结构

说明书

本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。

技术领域

本发明属于电子元器件技术领域，更具体地说，是涉及一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构。

背景技术

传统的SMD(Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件)表贴石英晶体谐振器中的谐振晶片采用两点支撑，抗冲击能力基本在2000g左右。

为提高石英晶体谐振器的抗冲击能力，可以把支撑胶点的数量增至四点。如果四个胶点直接连接表贴管壳和石英晶片上，会因不同材料的膨胀系数差异，抗冲击性能差，造成石英晶片破裂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，旨在解决石英晶体谐振器抗冲击性能差的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；所述管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，所述第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，所述缓冲晶片的金属化电极区分别与所述下层第一导电胶点和所述下层第二导电胶点连接；所述缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；所述谐振晶片通过所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点与所述缓冲晶片连接；所述第一金属引线通过所述下层第一导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第一导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；所述第二金属引线通过所述下层第二导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第二导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通。

作为本申请另一实施例，所述缓冲晶片的金属化电极区包括第一金属化电极区和第二金属化电极区，所述第一金属化电极区位于所述第一金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第一导电胶点与所述第一金属化电极区的背面连接；第二金属化电极区位于所述第二金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第二导电胶点与所述第二金属化电极区的背面连接；所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区分设于所述缓冲晶片相对的两侧；所述上层第一导电胶点设于所述第一金属化电极区的上面，所述上层第二导电胶点设于所述第二金属化电极区的上面；所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点分设于所述缓冲晶片的四角。

作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区的正面和背面所成的区域相同；所述第二金属化电极区的正面和背面所成的区域相同。

作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区对称分设在所述缓冲晶片的两侧。

作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区在正面和背面的区域均为长方形，且长度为所在缓冲晶片一侧的长度的一半。