[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202011541098.3 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112736117A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 崔巍 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件,相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管;
其中,任一所述感光构件包括至少一阵列单元,所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元及至少一第二阵列单元,一所述第一阵列单元与一所述第二阵列单元电连接;
其中,所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号,所述第二阵列单元用于将所述第一阵列单元的所述第一电信号转换为第二电信号,所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阵列单元包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一半导体单元、位于所述第一半导体单元上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第一源漏极单元;
所述第二阵列单元包括位于所述衬底上的第二栅极、位于所述第二栅极上的所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二半导体单元、位于所述第二半导体单元上的所述第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第二源漏极单元;
其中,所述第二绝缘层包括多个第一过孔,所述第一源漏极单元通过所述第一过孔与所述第二栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第一源极、及第一漏极,所述第二绝缘层包括多个第二过孔、及多个第三过孔,所述第一源极通过所述第二过孔与所述第一半导体单元电连接,所述第一漏极通过所述第三过孔与所述第一半导体单元电连接;
所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第二源极、及第二漏极,所述第二绝缘层包括多个第四过孔、及多个第五过孔,所述第二源极通过所述第四过孔与所述第二半导体单元电连接,所述第二漏极通过所述第五过孔与所述第二半导体单元电连接;
其中,所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元为N型半导体单元,所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元,所述第三绝缘层包括多个第六过孔及多个第七过孔,所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元为P型半导体单元,所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元,所述第三绝缘层包括多个第六过孔、多个第七过孔及多个第八过孔,所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第八过孔与所述第一栅极电连接。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元的厚度为5000埃米~10000埃米,所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影的面积为100um2~10000um2。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一阵列单元及所述第二阵列单元上的第四绝缘层、及位于所述第四绝缘层上的多个滤波单元,所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影位于所述滤波单元在所述衬底上的正投影之内。
10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多个检测单元,一所述检测单元与一所述第二阵列单元电连接;
其中,所述检测单元用于检测所述第二阵列单元中的电流变化,以确定所述预定光线与所述显示面板的接触位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的