[发明专利]显示面板在审

专利信息
申请号: 202011541098.3 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112736117A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 崔巍 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杜蕾
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件,相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管;

其中,任一所述感光构件包括至少一阵列单元,所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元及至少一第二阵列单元,一所述第一阵列单元与一所述第二阵列单元电连接;

其中,所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号,所述第二阵列单元用于将所述第一阵列单元的所述第一电信号转换为第二电信号,所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阵列单元包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一半导体单元、位于所述第一半导体单元上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第一源漏极单元;

所述第二阵列单元包括位于所述衬底上的第二栅极、位于所述第二栅极上的所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二半导体单元、位于所述第二半导体单元上的所述第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第二源漏极单元;

其中,所述第二绝缘层包括多个第一过孔,所述第一源漏极单元通过所述第一过孔与所述第二栅极电连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第一源极、及第一漏极,所述第二绝缘层包括多个第二过孔、及多个第三过孔,所述第一源极通过所述第二过孔与所述第一半导体单元电连接,所述第一漏极通过所述第三过孔与所述第一半导体单元电连接;

所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第二源极、及第二漏极,所述第二绝缘层包括多个第四过孔、及多个第五过孔,所述第二源极通过所述第四过孔与所述第二半导体单元电连接,所述第二漏极通过所述第五过孔与所述第二半导体单元电连接;

其中,所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元为N型半导体单元,所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元,所述第三绝缘层包括多个第六过孔及多个第七过孔,所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接。

6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元为P型半导体单元,所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元,所述第三绝缘层包括多个第六过孔、多个第七过孔及多个第八过孔,所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接,所述第一连接单元通过所述第八过孔与所述第一栅极电连接。

7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。

8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体单元的厚度为5000埃米~10000埃米,所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影的面积为100um2~10000um2

9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一阵列单元及所述第二阵列单元上的第四绝缘层、及位于所述第四绝缘层上的多个滤波单元,所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影位于所述滤波单元在所述衬底上的正投影之内。

10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多个检测单元,一所述检测单元与一所述第二阵列单元电连接;

其中,所述检测单元用于检测所述第二阵列单元中的电流变化,以确定所述预定光线与所述显示面板的接触位置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011541098.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top