[发明专利]一种LED芯片粗化液及其制备方法与应用在审
申请号: | 202011541592.X | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112680227A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 侯军;李传强 | 申请(专利权)人: | 江苏奥首材料科技有限公司 |
主分类号: | C09K13/04 | 分类号: | C09K13/04;C09K13/06;H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人: | 杨翠翠 |
地址: | 116000 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 粗化液 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种LED芯片粗化液,其特征在于,它包括的组分及其质量百分比为:
无机酸5-30%,
有机酸5-10%,
多胺化合物5-20%,
氧化剂0.1-5%,
润湿剂0.01-1%,
余量为去离子水;
所述无机酸为盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、氢氟酸中的一种或几种;
所述有机酸为甲酸,乙酸,丁酸,草酸,酒石酸,琥珀酸,柠檬酸,葡萄糖酸,氨基己酸,甲基磺酸,甲基苯磺酸,对羟基苯磺酸,氨基磺酸中的一种或几种;
所述多元胺选自乙二胺、己二胺、六亚甲基四胺、三乙醇胺、氯化铵、甘氨酸、天冬氨酸、磷酸铵、碳酸铵中的一种或几种;
所述氧化剂选自双氧水、重铬酸钾、高碘酸钾、硝酸铈铵、硫酸铁铵、氯酸钾、高氯酸钾、铁氰酸钾、次氯酸钠、高锰酸钾中的一种或几种;
所述润湿剂为耐强酸和强氧化剂的全氟烷基甜菜碱。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:它包括的组分及其质量百分比为:
无机酸10-20%,
有机酸5-10%,
多胺化合物5-20%,
氧化剂0.1-5%,
润湿剂0.01-1%,
余量为去离子水。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述无机酸为硝酸和/或氢氟酸。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述盐酸的质量分数为37%,磷酸的质量分数为85%,硫酸的质量分数为98%,氢氟酸的质量分数为40%,硝酸的质量分数为30%。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述有机酸为酒石酸、琥珀酸或柠檬酸。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述多元胺为乙二胺或氯化铵。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述氧化剂为高碘酸钾或高氯酸钾。
8.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液,其特征在于:所述全氟烷基甜菜碱为全氟十二烷基二甲基磺乙基甜菜碱、全氟十二烷基二甲基甜菜碱、全氟十二烷基二甲基磺丙基甜菜碱、全氟十二烷基二甲基羟丙基磷酸脂甜菜碱、全氟十二烷基二甲基羧酸酯甜菜碱、全氟十六烷基二甲基羟丙基羧酸酯甜菜碱中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)根据粗化液组成,将溶剂水加入搅拌釜内,打开搅拌,并始终控制搅拌釜温度在20-30℃;
(2)沿搅拌釜内壁,按比例倒入无机酸,混合均匀至澄清;
(3)沿搅拌釜内壁,按比例加入有机酸,混合均匀至澄清;
(4)沿搅拌釜内壁,按比例加入多胺化合物,混合均匀至澄清;
(5)沿搅拌釜内壁,按比例加入氧化剂,混合均匀至澄清;
(6)沿搅拌釜内壁,按比例加入润湿剂,混合均匀至澄清;
以上制备步骤中混合均匀至澄清后,方可添加下一物料。
10.根据权利要求1所述的一种LED芯片粗化液的应用,其特征在于:该粗化液用于AlGaInP层、ALGaAs层、GaAsP层、GaP层、GaN层III-V半导体外延层的表面粗化处理,将表面微图形化。
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