[发明专利]电容式换能装置及其制造方法有效
申请号: | 202011542239.3 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112657816B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 邱品翔;黄泰翔;邱炜茹;陈政翰;李文渊 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | B06B1/02 | 分类号: | B06B1/02 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 式换能 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电容式换能装置,其特征在于,包括:
基板;
下电极,配置于所述基板;
振荡元件,包括振荡部、连接部以及多个穿孔,所述振荡部借由所述连接部连接于所述下电极以形成空腔;
上电极,配置于所述振荡部,所述振荡部位于所述上电极与所述下电极之间;
第一镀膜层,覆盖所述振荡元件以及所述上电极,且包括保护部以及多个第一封孔部,所述保护部形成于所述振荡部上以覆盖所述上电极,所述多个第一封孔部配置于所述基板,且在第一方向上,所述多个第一封孔部与所述多个穿孔重叠,所述第一方向垂直于所述基板的延伸方向;以及
多个第二封孔部,配置于所述多个封孔以与相对应的所述多个第一封孔部形成多个封孔结构,其中所述多个第一封孔部与所述多个第二封孔部的材料不同;
其中,在所述第一方向上,所述多个封孔结构的高度大于所述下电极的顶面至所述振荡部的顶面的距离,所述多个第二封孔部的高度大于所述多个第一封孔部的高度,所述保护部的高度等于所述多个第一封孔部的高度。
2.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述多个第一封孔部的高度大于所述空腔的高度。
3.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述多个封孔结构的高度大于或等于2.7倍的所述空腔的高度。
4.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述多个封孔结构的高度大致等于所述下电极的顶面至所述保护部的顶面的最大距离。
5.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,所述振荡元件的材料与所述第一镀膜层的材料相同。
6.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,所述多个第二封孔部与所述第一镀膜层的蚀刻选择比大于100,其中蚀刻选择比为蚀刻率的比值。
7.如权利要求1所述的电容式换能装置,其特征在于,还包括:
第三封孔部,配置于所述多个第二封孔部的顶面。
8.如权利要求7所述的电容式换能装置,其特征在于,所述第三封孔部的顶面为凸面。
9.一种电容式换能装置的制造方法,其特征在于,包括:
依序提供基板、下电极以及牺牲层;
依序配置振荡元件以及上电极至所述下电极并覆盖所述牺牲层;
在所述振荡元件上形成多个穿孔并移除所述牺牲层以形成空腔;
配置第一镀膜层以覆盖所述振荡元件以及所述上电极,所述第一镀膜层中穿过所述多个穿孔的一部份在所述下电极形成多个第一封孔部,所述第一镀膜层的另一部份形成保护部;
配置第二镀膜层以覆盖所述第一镀膜层,所述第二镀膜层中位在所述多个穿孔的一部份形成多个第二封孔部;
配置光阻材料在于所述多个第二封孔部;以及
移除所述第二镀膜层的另一部份,其中相对应的所述多个第一封孔部与所述多个第二封孔部形成为多个封孔结构,且所述多个第一封孔部与所述多个第二封孔部的材料不同。
10.如权利要求9所述的电容式换能装置的制造方法,其特征在于,还包括:
移除所述光阻材料。
11.如权利要求9所述的电容式换能装置的制造方法,其特征在于,还包括:
移除一部份所述光阻材料,以使所述光阻材料的顶面形成为凸面。
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