[发明专利]一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种金属电镀组合物，其特征在于，所述金属电镀组合物的原料包括芯片铜互连电镀添加剂和金属电镀铜液；所述的芯片铜互连电镀添加剂为式I化合物：

其中，R₁、R₂、R₃独立地为H、-NO₂或卤素；

R、R’独立地为H或且R、R’不同时为H或/

R₄、R₅独立地为C₁～C₄烷基；

n为5～14中的整数。

2.如权利要求1所述的金属电镀组合物，其特征在于，当R₁、R₂、R₃为卤素时，所述的卤素为F、Cl、Br或I；

和/或，R₄、R₅独立地为甲基、乙基、丙基或丁基；

和/或，n为6～11。

3.如权利要求1所述的金属电镀组合物，其特征在于，当R₁、R₂、R₃为卤素时，所述的卤素为Cl或Br；

和/或，R₄、R₅独立地为甲基或乙基；

和/或，n为6或11。

4.一种金属电镀组合物，其特征在于，所述金属电镀组合物的原料包括芯片铜互连电镀添加剂和金属电镀铜液；所述的芯片铜互连电镀添加剂为式I化合物，所述的式I化合物独立地为：

/

中的一个或多个。

5.如权利要求1或4所述的金属电镀组合物，其特征在于，所述的金属电镀铜液包含铜盐、酸性电解质、卤离子源和水。

6.如权利要求5所述的金属电镀组合物，其特征在于，所述的铜盐为硫酸铜、卤化铜、乙酸铜、硝酸铜、氟硼酸铜、烷基磺酸铜、芳基磺酸铜、氨基磺酸铜和葡糖酸铜中的一种或多种；

和/或，所述铜盐中铜离子的摩尔浓度为0.15-2.85mol/L；

和/或，所述酸性电解质为硫酸、磷酸、乙酸、氟硼酸、氨基磺酸、烷基磺酸、芳基磺酸和氢氯酸中的一种或多种；

和/或，所述酸性电解质在每升所述金属电镀组合物中的质量为1-300g；

和/或，所述卤离子源为氯离子源；

和/或，所述卤离子源的卤离子的浓度为0-100ppm；

和/或，所述金属电镀铜液由牌号为SYSD2110的电镀铜液提供；

和/或，所述的金属电镀组合物的原料还包括加速剂；

和/或，所述的金属电镀组合物的原料还包括抑制剂。