[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法在审
| 申请号： | 202011542807.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112725889A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/22;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 控制 收尾 形状 获得 无位错重掺锑硅单晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。
2.根据权利要求1所述的通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，所述重掺锑硅单晶的电阻率≤20mΩ·Gm，晶向为100。
3.根据权利要求1所述的通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，所述重掺锑硅单晶直径为6英寸以上。
4.根据权利要求1所述的通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，所述尾部形状包括圆台形部分、圆柱部分和圆锥形部分。
5.根据权利要求4所述的通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，所述尾部形状的总长度为200mm以上，所述圆柱形部分的长度为70-100mm。
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