[发明专利]转接板及其制作方法,半导体器件及其制作方法在审
申请号: | 202011542989.0 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112736031A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 田斌 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 衡滔 |
地址: | 300392 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转接 及其 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种转接板制作方法,其特征在于,包括:
将硅桥固定在第一载板上,所述硅桥与所述第一载板接触的表面具有第一连接垫及第二连接垫,所述第一连接垫及所述第二连接垫通过所述硅桥内部的导线电连接;
在所述第一载板及所述硅桥上形成第一介电层,所述第一介电层包裹所述硅桥,所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面,所述第一表面与所述第一载板接触;
自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一导电柱及第二导电柱,所述第一导电柱及所述第二导电柱分别位于所述硅桥的两侧,且均截止于所述第一载板;
移除所述第一载板,得到转接板。
2.如权利要求1所述的转接板制作方法,其特征在于,所述自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一导电柱及第二导电柱,包括:
自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一通孔及第二通孔,所述第一通孔及所述第二通孔均截止于所述第一载板;
分别在所述第一通孔及所述第二通孔内填充导电材料,形成所述第一导电柱及所述第二导电柱。
3.如权利要求1所述的转接板制作方法,其特征在于,所述第一导电柱具有远离所述第一载板的第一端面,所述第二导电柱具有远离所述第一载板的第二端面,在所述自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一导电柱及第二导电柱之后,及在所述移除所述第一载板之前,所述方法还包括:
分别在所述第一端面及所述第二端面上形成第一焊盘及第二焊盘。
4.如权利要求1至3任一项所述的转接板制作方法,其特征在于,所述第一导电柱具有靠近所述第一载板的第三端面,所述第二导电柱具有靠近所述第一载板的第四端面,在所述移除所述第一载板之后,所述方法还包括:
分别在所述第三端面及所述第四端面上形成第三焊盘及第四焊盘,及分别在所述第一连接垫及所述第二连接垫上形成第五焊盘及第六焊盘。
5.如权利要求4所述的转接板制作方法,其特征在于,在所述分别在所述第三端面及所述第四端面上形成第三焊盘及第四焊盘,及分别在所述第一连接垫及所述第二连接垫上形成第五焊盘及第六焊盘之前,所述方法还包括:
在所述第二表面形成第二载板,所述第二载板覆盖所述第三端面、所述第四端面、所述第一连接垫及所述第二连接垫;
相应地,在所述分别在所述第三端面及所述第四端面上形成第三焊盘及第四焊盘,及分别在所述第一连接垫及所述第二连接垫上形成第五焊盘及第六焊盘之后,所述方法还包括:
移除所述第二载板。
6.一种半导体器件制作方法,其特征在于,包括:
将硅桥固定在第一载板上,所述硅桥与所述第一载板接触的表面具有第一连接垫及第二连接垫,所述第一连接垫及所述第二连接垫通过所述硅桥内部的导线电连接;
在所述第一载板及所述硅桥上形成第一介电层,所述第一介电层包裹所述硅桥,所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面,所述第一表面与所述第一载板接触;
自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一导电柱及第二导电柱,所述第一导电柱及所述第二导电柱分别位于所述硅桥的两侧,且均截止于所述第一载板,所述第一导电柱具有靠近所述第一载板的第三端面及相对的第一端面,所述第二导电柱具有靠近所述第一载板的第四端面及相对的第二端面;
移除所述第一载板,得到转接板;
将第一芯片及第二芯片安装在所述转接板上,所述第一芯片分别与所述第三端面及所述第一连接垫电连接,所述第二芯片分别与所述第四端面及所述第二连接垫电连接;
将所述转接板安装在封装基板上,所述封装基板内部形成有线路,且所述线路引出有电连接端子,所述第一端面及所述第二端面分别与不同的电连接端子电连接。
7.如权利要求6所述的半导体器件制作方法,其特征在于,所述自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一导电柱及第二导电柱,包括:
自所述第二表面向所述第一介电层内部形成第一通孔及第二通孔,所述第一通孔及所述第二通孔均截止于所述第一载板;
分别在所述第一通孔及所述第二通孔内填充导电材料,形成所述第一导电柱及所述第二导电柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造