[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，所述衬底层在所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的部分为通道区，其中，所述第一电流阻挡区、所述第二电流阻挡区与所述通道区的顶面均位于同一平面；

在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上依次形成下包层、波导层及脊形成层；

对所述脊形成层图案化形成具有脊条结构的脊条层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上依次形成下包层、波导层及脊形成层，所述方法还包括：

在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上形成下包层；

在所述下包层上依次形成下限制层、量子阱和上限制层作为波导层；

在所述上限制层上依次形成上包层和欧姆接触层作为脊形成层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述脊形成层图案化形成具有脊条结构的脊条层包括：

对所述上包层和所述欧姆接触层图案化形成图案化上包层和图案化欧姆接触层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述脊形成层图案化形成具有脊条结构的脊条层之后，所述方法还包括：

在所述脊条层上形成绝缘层和导电层，其中，所述脊条层的顶面与所述导电层接触，所述绝缘层位于所述脊条层和所述导电层之间，且所述绝缘层覆盖所述脊条层的侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底层上形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区包括：

在所述衬底层上通过离子注入分别形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底层上形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区包括：

对所述衬底层刻蚀形成相邻的第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间具有台面结构；

在所述衬底层上外延生长电流阻挡层；

对所述电流阻挡层进行表面平坦化处理以露出所述台面结构，所述电流阻挡层经表面平坦化处理后位于所述第一刻蚀槽的部分为所述第一电流阻挡区，所述电流阻挡层经表面平坦化处理后位于所述第二刻蚀槽的部分为所述第二电流阻挡区，位于所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的台面结构为通道区。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道区在所述衬底层的正投影区域位于所述脊条结构在所述衬底层的正投影区域之内。

8.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区间隔位于所述通道区的两侧。

9.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区绕设于所述通道区的外周且相互连接。

10.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道区为N型区，所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区为P型层；或，所述通道区为P型区，所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区为N型层。