[发明专利]具有延伸栅极结结构的垂直串驱动器

权利要求书

1.一种驱动器电路，包括：

在源极导体与漏极导体之间的栅极层，所述栅极层通过第一电隔离层与所述源极导体垂直分隔，并且通过第二电隔离层与所述漏极导体垂直分隔，所述栅极层包括栅极导体；

与所述栅极层相交的垂直沟道，所述垂直沟道包括垂直连接在所述源极导体与所述漏极导体之间的沟道导体、以及在所述沟道导体与所述栅极导体之间的氧化物层；以及

结结构，所述结结构平行于所述沟道导体延伸，所述结结构朝向所述漏极导体垂直延伸，所述结结构具有大于所述栅极层的高度的高度。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述沟道导体包括n型(电子多数载流子)掺杂多晶硅。

3.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述沟道导体包括掺杂金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的驱动器电路，其中，所述掺杂金属氧化物包括氧化锌(ZnO)。

5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述栅极导体包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

6.根据权利要求5所述的驱动器电路，其中，所述结结构包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

7.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中，所述栅极导体具有比所述结结构高的掺杂密度。

8.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述结结构包括在所述氧化物层与所述栅极导体之间的垂直结构，其中，所述结结构电连接到所述栅极导体。

9.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述垂直沟道还包括被所述沟道导体围绕的电介质材料，其中，所述结结构包括在所述沟道导体与所述电介质材料之间的垂直结构，其中，所述结结构电连接到所述源极导体。

10.一种NAND存储器器件，包括：

三维(3D)NAND阵列，所述3D NAND阵列包括以阶梯图案垂直堆叠的单元，其中，所述阶梯中的台阶用于暴露至所述3D NAND阵列的字线的连接；以及

驱动器电路，所述驱动器电路用于控制从连接器迹线到至所述3D NAND阵列的字线的暴露连接的电流，所述驱动器电路包括：

在源极导体与漏极导体之间的栅极层，所述栅极层通过第一电隔离层与所述源极导体垂直分隔，并且通过第二电隔离层与所述漏极导体垂直分隔，所述栅极层包括栅极导体，其中，所述漏极导体电连接到所述连接器迹线，并且所述源极导体电连接到导电柱，所述导电柱电连接到至所述字线的所述暴露连接；

与所述栅极层相交的垂直沟道，所述垂直沟道包括垂直连接在所述源极导体与所述漏极导体之间的沟道导体、以及在所述沟道导体与所述栅极导体之间的氧化物层；以及

结结构，所述结结构平行于所述沟道导体延伸，所述结结构朝向所述漏极导体垂直延伸，所述结结构具有大于所述栅极层的高度的高度。

11.根据权利要求10所述的NAND存储器器件，其中，所述沟道导体包括n型(电子多数载流子)掺杂多晶硅或n型掺杂金属氧化物。

12.根据权利要求10所述的NAND存储器器件，其中，所述栅极导体包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

13.根据权利要求12所述的NAND存储器器件，其中，所述结结构包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

14.根据权利要求13所述的NAND存储器器件，其中，所述栅极导体具有比所述结结构高的掺杂密度。

15.根据权利要求10所述的NAND存储器器件，其中，所述结结构包括在所述氧化物层与所述栅极导体之间的垂直结构，其中，所述结结构电连接到所述栅极导体。