[发明专利]具有可编程反熔丝特征的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基底；

一尖端特征区域设置于该基底上；

一栅极绝缘层设置于该尖端特征区域与该基底上；

一栅极底导电层设置于该栅极绝缘层上；以及

一第一掺杂区域设置于基底内且相邻于该栅极绝缘层的一端。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极绝缘层包括一覆盖区和两个平坦区，该覆盖区设置于该尖端特征区域上，该两个平坦区与该覆盖区的两侧相邻且设置于该基底上，该两个平坦区的厚度大于或等于该覆盖区的厚度。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括多个第一隔离结构设置于该基底内，其中该多个第一隔离结构在该基底内定义一第一主动区域，该第一掺杂区域位于该第一主动区域内。

4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括多个栅极间隙壁设置于该栅极底导电层的侧壁和该栅极绝缘层的侧壁上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括一第一微掺杂区域设置于该第一主动区域内且与该栅极绝缘层的一端相邻。

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括一栅极顶导电层和一第一导电层，该栅极顶导电层设置于该栅极底导电层上，该第一导电层设置于该第一掺杂区域上，其中该栅极顶导电层的厚度介于约2纳米至约20纳米之间，该第一导电层的厚度介于约2纳米至约20纳米之间。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括一第一接触插塞和一第二接触插塞，该第一接触插塞设置于该栅极顶导电层上，该第二接触插塞设置于该第一导电层上。

8.如权利要求7所述的半导体装置，还包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，该第一绝缘层设置于该基底上，该第二绝缘层设置于该第一绝缘层上，该第一接触插塞部设置于该第二绝缘层内，该第二接触插塞穿设该第二绝缘层与该第一绝缘层。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一第一障壁层设置于该第一接触插塞与该第二绝缘层之间以及设置于该第一接触插塞与该栅极顶导电层之间。

10.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一第一蚀刻阻挡层设置于该第一绝缘层和该第二绝缘层之间。

11.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一第一应力区域设置于该第一掺杂区域和该第二接触插塞之间。

12.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第二绝缘层的孔隙率介于约10％至约50％之间，且该尖端特征区域包括外延硅。

13.一种半导体装置，包括：

一基底；

一第一井区域该基底内；

一第一隔离结构位于该第一井区域内；

一第二隔离结构和一第三隔离结构分别设置于该第一井区域的两侧，其中该第一隔离结构和该第二隔离结构于该基底内定义一第一主动区域，该第一隔离结构和该第三隔离结构于该基底内定义一第二主动区域，其中该第二主动区域与该第一主动区域相对，且该第一隔离结构介于该第一主动区域和该第二主动区域之间；

一尖端特征区域设置于该第一主动区域上；

一栅极绝缘层设置于该尖端特征区域以及该基底上；

一栅极底导电层设置于该栅极绝缘层上；

一掺杂区域设置于该第二主动区域内；

一第一接触插塞设置于该栅极底导电层上方；以及

一第二接触插塞设置于该掺杂区域上方。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中该栅极绝缘层包括一覆盖区和两个平坦区，该覆盖区设置于该尖端特征区域上，该两个平坦区与该覆盖区的两侧相邻且设置于该基底上，该两个平坦区的厚度大于或等于该覆盖区的厚度。