[发明专利]对铜金属层进行CMP处理的方法有效

专利信息
申请号: 202011543432.9 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112677031B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 许力恒;夏汇哲;李松;宋振伟;张守龙 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 金属 进行 cmp 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种对铜金属层进行CMP处理的方法,其特征在于,所述方法包括:

将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台,将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上;

对所述衬底表面进行预研磨,在预研磨过程中通过涡流传感器检测衬底表面铜金属层的涡流电流,根据涡流电流实时监测铜金属层的厚度;

当监测到所述衬底边缘区域的厚度为预定厚度时,停止预研磨;所述衬底边缘的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度,其中,对所述衬底边缘区域施加的压力小于对所述衬底中心区域施加的压力;

对所述衬底进行主研磨,对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理,其中,主研磨过程中对衬底施加的压力大于预研磨过程中对衬底施加的压力,在主研磨过程中,通过涡流传感器检测衬底表面铜金属层的涡流电流,根据涡流电流实时监测铜金属层的厚度;根据所述铜金属层的厚度和目标厚度,自动调整对衬底施加的压力。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在预研磨过程中,对衬底边缘区域施加的压力为0.9psi至1.1psi,对衬底中心区域施加的压力为1.35psi至1.65psi。

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