[发明专利]EBCMOS分辨力参数的测量装置

说明书

本发明公开了一种EBCMOS分辨力参数的测量装置，其包括光学平台、光源系统、分辨力靶、物镜、测量暗箱、气体置换装置、TEC温控系统和图像采集及分析系统。本发明的结构设计巧妙、合理，能实现光源照度可变以及被测器件工作温度可变，利用TEC温控台单独只对被测器件控温实现快速变温提高测试效率，而且设有气体置换装置，能快速排出测量暗箱内空气从而降低水汽含量，有效解决了降温情况潜在的水汽冷凝、结霜影响测试结果问题，实现对EBCMOS器件分辨力进行准确而且完整性评价测试，精确反映出EBCMOS器件分辨力在全工作温度范围内的真实水平，保障器件各种应用场景下可靠工作，有利于指导研发生产工作。

技术领域

本发明涉及EBCMOS分辨力参数的测量技术领域，具体涉及一种EBCMOS分辨力参数的测量装置。

背景技术

微光成像技术是研究在夜天光或能见度不良条件下，光-电子图像信息之间相互转换、增强、处理、显示等物理过程及其实现方法的一门高新技术，它是近代光电子成像技术的重要组成部分，在军事、公安、天文、航天、航海、生物、医学、核物理、卫星监测、高速摄影等领域发挥了巨大旳作用，微光夜视器材所用核心器件就是各代光电成像器件即微光器件。

电子轰击型器件EBCMOS和ICCD、ICMOS均属于数字化微光成像器件，相对ICCD、ICMOS，电子轰击型EBCMOS不需要微通道板MCP、荧光屏和光纤耦合器，光电阴极发射的电子经高压电场加速轰击背减薄的芯片直接成像，将成像过程的光电转换环节最大程度简化，有利于提高成像质量，且减小了体积和重量。电子轰击型微光成像器件的显著优势已经引起广泛关注，并开始应用于微光夜视、激光雷达、高能物理和天文观察等领域。

评价微光器件性能指标主要是积分灵敏度、信噪比和分辨力，其中分辨力指空间分辨力，单位为lp/mm，表示能够分辨景物或图像明暗细节的能力。在成像过程中，对比度有所下降，且降低的程度随着图像细节的大小而不同。明暗细节的尺寸越小，对比度价降低的越厉害，对比度下降到一定限值时，图像就不能分辨。根据极限分辨力的定义，当两条线或两个点的距离缩短到一定的程度后，不能被独立分辨，而表现为互相重叠，能够分辨的最短距离为，称为极限分辨力。分辨力是微光成像器件表征成像质量最重要参数之一，对分辨力参数的完整测量评价有利于推动微光成像发展。当前关于ICCD分辨力的测量装置和方法已有相关报道以及专利，如公开号“CN105973570B”，名称为“微光ICCD分辨力测量装置及测量方法”；公开号“CN104634449B”，名称为“微光ICCD信噪比测试系统及测试方法”；但针对EBCMOS的测量装置未见相关报到，理论上EBCMOS可以借鉴ICCD的测量装置，但是当前报道的测试装置、方法均为室温、常温条件下进行，测试结果只能反映室温条件下性能。但实际上对微光成像器件的需求为户外全天候工作，且存在极端工作温度场景，对EBCMOS以及ICCD等微光夜视器件而言，在高温、低温条件下各组件间装配应力导致的微小位移可能对分辨力造成较大影响，另外高低温下光电阴极、CMOS或CCD芯片噪声差异也会对分辨力产生影响，因此测试微光器件三温下的分辨力参数具有必要性，传统测量装置无法证明器件能否在规格高低温下满足成像要求。

发明内容

针对上述不足，本发明目的在于，提供一种结构设计巧妙、合理，能实现光源照度可变以及被测器件工作温度可变条件下，对EBCMOS器件分辨力进行准确而且完整性评价测试的EBCMOS分辨力参数的测量装置。

本发明为实现上述目的，所提供的技术方案是：