[发明专利]一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件和模块

权利要求书

1.一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：包括SIC衬底(1)、SIC外延层(2)、二维材料薄膜层(3)、氧化物薄膜层(4)和栅电极层(5)、阳极金属(6)；

所述SIC衬底(1)的底部设置有所述阳极金属(6)；

所述SIC外延层(2)设置在所述SIC衬底(1)的顶部；

所述二维材料薄膜层(3)位于所述SIC外延层(2)的顶部；

所述氧化物薄膜层(4)设置在所述二维材料薄膜层(3)的顶部；

所述栅电极层(5)设置在所述氧化物薄膜层(4)的顶部；

所述SIC外延层(2)的表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域(21)和位于中部的第二区域(22)；所述二维材料薄膜层(3)在位于所述第一区域(21)和所述第二区域(22)的位置均开设有沟道；所述第一区域(21)上的沟道处覆盖有第一金属层(211)；所述第二区域(22)的沟道处覆盖有第二金属层(221)；

所述第一区域(21)与所述SIC外延层(2)为不同导电类型；

所述第二区域(22)与所述SIC外延层(2)为相同的导电类型。

2.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述二维材料薄膜层(3)为MoS₂、BN材料、Bi₂Te₃或Bi₂Se₃。

3.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述氧化物薄膜层(4)为SiO₂或Al₂O₃。

4.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述所述二维材料薄膜层(3)的厚度范围为20～30nm。

5.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述SIC衬底(1)为碳化硅材料。

6.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述沟道采用干法刻蚀或湿法刻蚀制备而成。

7.如权利要求1所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件，其特征在于：所述沟道采用ICP-RIE刻蚀法制备而成。

8.一种SIC MOSFETs模块，其特征在于：包括如权利要求1至7中任意一项所述的一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件。