[发明专利]一种SIC功率半导体器件及其模块

权利要求书

1.一种SIC功率半导体器件，其特征在于：包括SIC衬底(1)、SIC外延层(2)、绝缘层(4)、源极(5)、栅极(6)和漏极(7)；

所述SIC外延层(2)形成于所述SIC衬底(1)的顶部；

所述SIC外延层(2)的顶部具有相对设置的第一区域(21)和第二区域(22)，每一个所述第一区域和所述第二区域内分别凹陷形成有一个第一沟槽和一个第二沟槽，所述第一沟槽内覆盖有第一金属层(3)，所述第二沟槽内覆盖有第二金属层(4)；

所述SIC外延层(2)的顶部覆盖有绝缘层(8)，所述绝缘层(8)具有两个对称设置的通孔，两个所述通孔内分别设置有所述源极(5)和所述漏极(7)，所述源极(5)接触所述第一金属层(3)，所述漏极(7)接触所述第二金属层(3)；所述栅极(6)设置在所述绝缘层(8)的上表面且位于所述源极(5)和所述漏极(7)之间；

所述第一区域(21)与所述SIC外延层(2)为不同导电类型；

所述第二区域(22)与所述SIC外延层(2)为相同的导电类型。

2.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述绝缘层(4)的材料为SiO₂、Al₂O₃、AlN、AlON或HfO₂。

3.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述绝缘层(4)的厚度为10～40nm。

4.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述沟槽采用干法刻蚀或湿法刻蚀制备而成。

5.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述沟槽采用ICP-RIE刻蚀法制备而成。

6.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述SIC外延层(2)的厚度为80μm。

7.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述SIC外延层(2)采用高温化学气相沉积法制备而成，掺杂浓度范围在1015～1019cm，表面宏观缺陷密度小于8cm^-2。

8.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述沟槽的深度为50nm～300nm。

9.如权利要求1所述的一种SIC功率半导体器件，其特征在于：所述SIC衬底(1)的厚度为5～10μm。

10.一种SIC功率半导体模块，其特征在于：其包括如权利要求1至9中任意一项所述的一种SIC功率半导体器件。