[发明专利]标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法有效
申请号: | 202011546602.9 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112666790B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 檀小芳;宋志伟;李宝顺 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标尺 判断 阵列 边缘 曝光 是否 合规 方法 | ||
1.一种标尺,其特征在于,包括位于中间的基准刻度线和位于所述基准刻度线一侧的参照刻度线;
所述标尺还包括第一识别图案和第二识别图案,所述第一识别图案位于所述基准刻度线的一侧,所述第二识别图案位于所述参照刻度线的一侧,所述第一识别图案和所述第二识别图案相对于所述基准刻度线和所述参照刻度线位于相同侧,所述第一识别图案和所述第二识别图案为二维码。
2.一种光罩,其特征在于,包括权利要求1所述的标尺;
所述光罩还包括挡板,所述挡板包括遮光区和围绕所述遮光区的透光区,多个所述标尺设置于所述遮光区的边缘并朝所述透光区延伸。
3.一种判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,采用权利要求1所述的标尺,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S10,提供阵列基板,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的边缘曝光区域,多个所述标尺设置于所述显示区的边缘并朝所述边缘曝光区域延伸;
S20,提供测试识别装置,所述测试识别装置位于所述阵列基板上;以及
S30,对所述阵列基板的所述边缘曝光区域进行扫描曝光,所述测试识别装置通过识别读取第一识别图案和第二识别图案,来判断所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度是否合规。
4.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,当所述测试识别装置完整识别并读取所述第一识别图案和所述第二识别图案时,所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度超规。
5.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,当所述测试识别装置仅完整识别并读取所述第一识别图案,未完整识别并读取所述第二识别图案时,所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度合规。
6.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,当所述测试识别装置未完整识别并读取所述第一识别图案和所述第二识别图案时,所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度超规。
7.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,所述第一识别图案位于所述基准刻度线靠近所述显示区的一侧,所述第二识别图案位于所述参照刻度线靠近所述显示区的一侧。
8.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,所述测试识别装置为高分辨率自动光学检测设备。
9.根据权利要求3所述的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法,其特征在于,所述第一识别图案和所述第二识别图案的尺寸大于50um*50um。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备