[发明专利]用于麦克风组件的亥姆霍兹共振器在审

专利信息
申请号: 202011546845.2 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN113132838A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: C·布拉特;U·默西;B·范德萨 申请(专利权)人: 美商楼氏电子有限公司
主分类号: H04R1/08 分类号: H04R1/08;H04R19/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 张志华;王小东
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 麦克风 组件 亥姆霍兹 共振器
【权利要求书】:

1.一种传感器组件,该传感器组件包括:

壳体,其具有外部装置接口和通向所述壳体的内部的声音端口;

换能器,其设置在所述壳体内并声耦合到所述声音端口;

电路,其设置在所述壳体内并电联接到所述换能器以及电联接到所述外部装置接口上的电接触件;以及

空腔,其形成在所述传感器组件的一部分中并通过所述声音端口声耦合到所述壳体的内部,

所述空腔具有壁部分,所述壁部分被构造成改变所述传感器组件的声学特性。

2.根据权利要求1所述的传感器组件,其中,所述壳体包括具有所述外部装置接口和所述声音端口的底座,并且其中,所述空腔和所述壁部分形成在所述底座中。

3.根据权利要求2所述的传感器组件,其中,所述空腔和所述壁部分形成包括与一个或更多个腔室连接的颈部的亥姆霍兹共振器。

4.根据权利要求3所述的传感器组件,其中,所述声音端口通过所述颈部声耦合到所述亥姆霍兹共振器的所述一个或更多个腔室。

5.根据权利要求4所述的传感器组件,其中,所述亥姆霍兹共振器的所述颈部和所述一个或更多个腔室形成在所述底座的同一层中或同一层上。

6.根据权利要求4所述的传感器组件,其中,所述亥姆霍兹共振器的所述颈部和所述一个或更多个腔室形成在所述底座的不同层中或不同层上,其中,所述颈部形成在第一层中或第一层上并且所述一个或更多个腔室形成在不同的第二层中或不同的第二层上。

7.根据权利要求1所述的传感器组件,所述传感器组件还包括具有声道的声音端口适配器,所述声道具有声音入口和声音出口,所述声音出口在所述声音端口适配器的安装表面上,所述声音端口适配器被安装在所述壳体的所述声音端口上方,使得所述声音端口适配器的所述声音出口声耦合到所述声音端口,其中,所述空腔和所述壁部分形成在所述声音端口适配器中。

8.根据权利要求7所述的传感器组件,其中,所述声音端口适配器的所述声道声耦合到所述空腔。

9.根据权利要求1所述的传感器组件,其中,所述传感器组件的声学特性包括惯性、声阻、顺从性和共振中的任一种或更多种。

10.一种麦克风组件,该麦克风组件包括:

壳体,其具有能表面安装的外部装置接口和通向所述壳体的内部的声音端口;

电声换能器,其设置在所述壳体的内部中并声耦合到所述声音端口;

电路,其被设置在所述壳体的内部中并电联接到所述电声换能器以及电联接到所述外部装置接口上的电接触件;以及

空腔,其形成在所述麦克风组件的一部分中并经由所述声音端口声耦合到所述壳体的内部,

所述空腔具有壁部分,所述壁部分被构造成改变所述麦克风组件的声学特性。

11.根据权利要求10所述的麦克风组件,其中,所述空腔和所述壁部分形成包括与一个或更多个腔室连接的颈部的亥姆霍兹共振器。

12.根据权利要求11所述的麦克风组件,其中,所述壳体包括具有所述能表面安装的外部装置接口和所述声音端口的底座,并且其中,所述亥姆霍兹共振器形成在所述底座中。

13.根据权利要求11所述的麦克风组件,其中,所述声音端口经由所述颈部声耦合到所述亥姆霍兹共振器的所述一个或更多个腔室。

14.根据权利要求13所述的麦克风组件,其中,所述亥姆霍兹共振器的所述颈部和所述一个或更多个腔室形成在所述底座的不同层中或不同层上,其中,所述颈部形成在第一层中或第一层上并且所述一个或更多个腔室形成在不同的第二层中或不同的第二层上。

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