[发明专利]一种载带自动焊载体去胶方法

说明书

本发明公开了一种载带自动焊载体去胶方法，属于电子产品的封装工艺技术领域。该方法具体包括：(1)去胶液浸泡：将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡，浸泡时间12‑15min，然后取出载体，放入温水中；(2)温水浸泡：将经去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡，浸泡时间3‑5min，然后取出载体；(3)温水冲洗：将步骤(2)取出的载体采用温水冲洗，先冲洗保护漆面，再冲洗铝面；(4)经步骤(3)温水冲洗后，载带自动焊载体上的光刻胶如已经清洗干净，则结束去胶流程；若未清洗干净，则采用含Cr⁶⁺的溶液浸泡，浸泡后用温水冲洗。采用本发明去胶方法，保护漆和光刻胶去除率均能达到90％以上。

技术领域

本发明涉及电子产品的封装工艺技术领域，具体涉及一种载带自动焊载体去胶方法。

背景技术

载带自动焊(tape automatic bonding，TAB)是芯片引脚框架一种互联工艺，首先在高聚合物上做好元件引脚的导体图样，然后将芯片按其键合区对应放在上面，最后通过键合完成芯片与引脚框架的连接。载体也称引脚框架，是载带的一个单元，载体的结构分为芯片粘接区、引线键合区和测试区。制备载体的工艺步骤主要包括，化学处理、涂光刻胶、曝光、显影、腐蚀聚酰亚胺、涂保护漆、腐蚀铝、切割、去胶和固化。其中，去胶是去除光刻胶和保护漆的简称，把载带上的光刻胶和保护漆去除干净。

微电子行业中，通常的去胶过程就是把原材料放入去胶液中，煮沸，自然冷却，去除后，用冷去离子水直接冲洗，待到去胶液去干净后，再用温水冲洗。这种操作过程中，去除保护漆比较容易，但是光刻胶极不容易冲洗掉。通常，由这种去胶方法操作后，保护漆去除率在90％以上，但光刻胶去除率仅能达到30％。

发明内容

本发明的目的在于提供一种载带自动焊载体去胶方法，采用这种去胶方法，保护漆去除率在90％以上，光刻胶去除率能达到90％以上。

一种载带自动焊载体去胶方法，该方法是对载体制备过程中载体上的光刻胶和保护漆进行去除，具体包括如下步骤：：

(1)去胶液浸泡：将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡，浸泡时间12-15min，然后取出载体，放入温水中；

(2)所述温水浸泡：将经去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡，浸泡时间3-5min，然后取出载体；

(3)温水冲洗：将步骤(2)取出的载体采用温水冲洗，先冲洗保护漆面，再冲洗铝面；

(4)经步骤(3)温水冲洗后，载带自动焊载体上的光刻胶如已经清洗干净，则结束去胶流程；若未清洗干净，则采用重铬酸钾溶液浸泡，浸泡后用温水冲洗。

步骤(1)中，所述去胶液为硫酸与双氧水的混合溶液，该混合溶液是由浓度96wt.％以上的硫酸与浓度30wt.％的双氧水按照5：1的体积比例混合而成；所述去胶液采用加热石英槽加热到115～125℃，浸泡时去胶液温度保持在115～125℃。

步骤(2)中，所述温水浸泡过程为：将去离子水采用加热石英槽加热到45～55℃，载体放入石英槽内的温水中浸泡(浸泡时温度保持45～55℃)3-5min，然后取出载体。

步骤(3)中，冲洗保护漆面的过程为：采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的保护漆面，在冲洗过程中，使用软毛刷刷洗表面，实时观察光刻胶的脱落情况，直到保护漆面光刻胶完全冲洗干净后，停止冲洗保护漆面；或者，当冲洗时间超过5min后，仍有保护漆面光刻胶残留，也停止冲洗保护漆面。

步骤(3)中，冲洗铝面的过程为：采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的铝面，在冲洗过程中，使用软毛刷刷洗表面，实时观察光刻胶的脱落情况，直到铝面光刻胶完全冲洗干净后，停止冲洗保护漆面；或者，当冲洗时间超过5min后，仍有铝面光刻胶残留，也停止冲洗铝面。

步骤(4)中，所述重铬酸钾溶液的浓度0.5-1wt.％，浸泡时间5-10min。