[发明专利]烧结钕铁硼磁体及其制备方法有效
申请号: | 202011547253.2 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112712955B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 查善顺;刘友好;曹玉杰;黄秀莲;熊永飞;陈静武;衣晓飞 | 申请(专利权)人: | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 张梦媚 |
地址: | 231500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
1.一种烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
获得基体粉料:按照钕、铁、硼三种元素的原子比为2.04~2.14:14:1制得平均粒度为2~5μm的钕铁硼细粉;
获得金属片状镓颗粒:将金属镓速凝片破碎成粒度在0.01~0.1mm的金属片状镓颗粒;
获得混料:将所述钕铁硼细粉和所述金属片状镓颗粒在低温条件下混合均匀,所述低温条件指的是低于镓的熔点温度;
制得烧结钕铁硼磁体:将所述混料在30℃-40℃温度下磁场取向成型,再依次经过等静压、烧结、热处理,制得烧结钕铁硼磁体。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述获得基体粉料的步骤,具体为:按照钕、铁、硼三种元素的原子比为2.04~2.14:14:1制得钕铁硼合金片;
将所述钕铁硼合金片在真空热处理炉中进行1000~1080℃,1~5小时的热处理;
将热处理后的钕铁硼合金片破碎得到钕铁硼细粉。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钕铁硼细粉的氧含量为50~500ppm。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属镓速凝片是在低于镓的熔点的环境中制备的,具体步骤为:将液态金属镓喷射到转动的铜辊表面形成,所述铜辊表面的温度为15~25℃。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述获得混料的步骤中,所述的低温条件的温度为15~25℃。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述获得混料的步骤中,所述金属片状镓颗粒的添加量为所述钕铁硼细粉的0.5~1.0wt%。
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述磁场取向成型的磁场为1.0~2.5T。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述等静压的压力为150~250MPa。
9.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述烧结的具体步骤为:在 1000~1080℃烧结3~6h;
所述热处理为两级热处理,具体为:于800~950℃保温3~5h后,再于460~550℃保温3~5h。
10.一种烧结钕铁硼磁体,其特征在于,其采用如权利要求1~9任一项所述的制备方法制得。
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