[发明专利]雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质

说明书

本申请涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

技术领域

本申请涉及可靠性测试技术领域，特别是涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

随着第三代半导体技术的发展，碳化硅MOSFET器件和二极管以其高频、低功耗、更高功率密度，更低系统成本等优点，在高频开关和汽车电子等特殊环境越来越多的被使用。这些器件驱动感性负载时，会承受非钳位感性开关(Unclamped Inductive Switching，UIS)的能量尖峰。非钳位感性负载下的开关过程通常被认为是MOSFET器件和二极管器件在系统应用中所能遭受的最极端应力情况，因为在回路导通时存储在电感中的能量必须在关断瞬间全部由待测器件释放，同时施加于待测器件的高电压和大电流极易造成器件失效，这种失效带来的损伤通常是不可修复的。因此，雪崩耐量通常是衡量碳化硅待测器件可靠性的一个重要指标。

雪崩耐量测试就是按设定电压、电流、电感条件，模拟器件实际应用关断时产生雪崩的过程，看被测器件是否发生损坏，不能承受这个规定能量的器件就是不合格产品。雪崩耐量测试包括单次脉冲雪崩耐量测试和重复脉冲雪崩耐量测试，单次脉冲雪崩耐量测试设备测量条件包括电感、单次雪崩电流值和雪崩过程中供电电压，相比单脉冲测试，重复脉冲的测量条件还包括结温、雪崩脉冲宽度及频率等参数。

虽然碳化硅MOSFET的规格书表中列出了重复雪崩电流值和重复雪崩能量，同时标注了测量条件，但通常只有起始温度25℃、最高结温150℃或者175℃以及电感值。要完整评估待测器件的重复雪崩能力，涉及的参数还包括稳态热阻(结-壳热阻或结-环热阻)、工作脉冲占空比、工作频率、雪崩脉冲占空比(或直接给出雪崩脉冲宽度)、供电电压、瞬态热阻曲线、阻性负载值，这些测试参数选取不同，对重复雪崩耐量测试结果的影响非常大。在实际重复雪崩耐量测试过程中，往往会由于参数选取不合理，严重影响重复雪崩耐量测试结果的准确性，传统的重复雪崩耐量测试操作具有测试可靠性差的缺点。

发明内容

基于此，有必要针对传统的重复雪崩耐量测试操作测试可靠性差的问题，提供一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。

一种雪崩测试参数选取方法，包括：获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

一种雪崩测试参数选取装置，包括：设定参数获取模块，用于获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；结温参数分析模块，用于根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；选取结果提示模块，用于根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。