[发明专利]低电阻率P型4H-SiC单晶及制备方法

权利要求书

1.一种低电阻率P型4H-SiC单晶制备方法，其特征在于，所述方法包括：

根据预设SiC单晶生长炉结构，在碳化硅生长仿真软件中，建立SiC单晶生长炉模型，并设定所述生长炉模型中各模块的材料属性、所述生长炉模型的加热方式；

使所述生长炉模型在不同的生长温度、生长压力条件下，模拟SiC单晶的生长，并输出在SiC单晶的生长过程中在各预设时间节点的物质传输路径及SiC粉料状态图、坩埚内的温场图；

根据模拟生长得到的SiC单晶的生长速率、所述坩埚内的温场图中籽晶处温场是否为微凸场，选择最终的生长温度和生长压力；

根据选择的生长温度和生长压力所对应的在各预设时间节点的物质传输路径及SiC粉料状态图，设计Al源释放器在坩埚中的放置位置；

根据选择的生长温度和生长压力、Al源释放器在坩埚中的放置位置，在所述预设SiC单晶生长炉中进行P型4H-SiC单晶的生长。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设计Al源释放器在坩埚中的放置位置，包括：

将第一Al源释放器放置在坩埚底部的中区位置，将第二Al源释放器放置在所述坩埚中的料面上方且靠近所述料面位置处；

其中，第二Al源释放器由多个相互独立的子Al源释放器组成，第一Al源释放器中的Al源的重量大于所述子Al源释放器中的Al源的重量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述子Al源释放器沿所述坩埚的中轴线对称分布。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长温度为坩埚上盖中心点的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料属性包括热导率、电导率、密度、热容量，加热能力、弹性模量、辐射特性中的一种或多种。

6.一种低电阻率P型4H-SiC单晶，其特征在于，所述P型4H-SiC单晶为利用权利要求1至5任一所述的生长方法得到的单晶。