[发明专利]减薄砂轮及其组件、减薄碳化硅衬底及减薄方法与应用

权利要求书

1.一种减薄砂轮，其特征在于，包括砂轮底座和设置在所述砂轮底座一侧表面的减薄基底，所述减薄基底由多个减薄齿沿所述砂轮底座的周向依次首尾连接而成，所述减薄基底不含金刚石固体并用于与金刚石减薄液配合使用，每个所述减薄齿沿所述砂轮底座的周向均具有相对的第一端和第二端，每个所述减薄齿的宽度均由所述第一端至所述第二端逐渐增大或逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的减薄砂轮，其特征在于，多个所述减薄齿的所述第一端朝向一致，每个所述减薄齿的高度均由所述第一端至所述第二端逐渐增大或逐渐减小；

优选地，每个所述减薄齿的所述第一端与所述第二端的高度差为10-200μm；

优选地，每个所述减薄齿的最小高度为10-1000μm。

3.根据权利要求2所述的减薄砂轮，其特征在于，

优选地，每个所述减薄齿的所述第一端和所述第二端的宽度差不超过5mm；

优选地，每个所述减薄齿的最小宽度为1-5mm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的减薄砂轮，其特征在于，所述减薄基底的材质为金属；

优选地，所述减薄基底的材质包括铁、铜和锡中的至少一种。

5.一种碳化硅减薄组件，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的减薄砂轮。

6.根据权利要求5所述的碳化硅减薄组件，其特征在于，还包括待减薄处理的碳化硅衬底以及用于向所述碳化硅衬底及所述减薄砂轮之间输入作为磨料的金刚石减薄液的金刚石减薄液输入件。

7.根据权利要求6所述的碳化硅减薄组件，其特征在于，所述碳化硅减薄组件还包括用于固定所述碳化硅衬底的固定件；

优选地，所述固定件为真空吸盘。

8.一种碳化硅减薄方法，其特征在于，采用如权利要求5-7任一项所述的碳化硅减薄组件进行减薄操作；

优选地，减薄速度为4-6μm/min。

9.一种减薄碳化硅衬底，其特征在于，经如权利要求8所述的碳化硅减薄方法加工而得。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求9所述的减薄碳化硅衬底。