[发明专利]一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 202011548786.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112563379A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 gan 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的SixNy层、生长在所述SixNy层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的低温GaN层、生长在所述低温GaN层上的高温GaN层。
2.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述基础AlN层的厚度为100～500nm。
3.根据权利要求2所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述基础AlN层的厚度为200～400nm。
4.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第一AlGaN层的厚度为100～500nm。
5.根据权利要求4所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第一AlGaN层的厚度为200～300nm。
6.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述SixNy层的厚度为2～10nm。
7.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第二AlGaN层的厚度为100～500nm。
8.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述低温GaN层的厚度为100～500nm。
9.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述高温GaN层的厚度为1～3μm。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的Si衬底的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
选取Si衬底；
在所述Si衬底上生长基础AlN层；
在所述基础AlN层上生长第一AlGaN层；
在所述第一AlGaN层上生长SixNy层；
在所述SixNy层上生长第二AlGaN层；
在所述第二AlGaN层上生长低温GaN层；
在所述低温GaN层上生长高温GaN层。
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