[发明专利]一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在聚酰亚胺衬底上沉积牺牲层；

步骤二、将第一掩模板覆盖在所述牺牲层上，进行保护层沉积，得到第一基底；

步骤三、将第二掩模板覆盖在所述第一基底上，进行源漏电极沉积，得到第二基底；

步骤四、将第三掩模板覆盖在所述第二基底上，进行有源层沉积，得到第三基底；

其中，每组源漏电极包括间隔设置的源极和漏极，所述保护层与所述每组源漏电极一一对应设置，并且设置在同组的源极和漏极的间隔处，以避免所述有源层接触所述牺牲层；

步骤五、将所述第三基底进行退火后，在所述第三基体上进行绝缘层沉积，得到第四基底；

其中，所述绝缘层包围式设置在所述保护层、所述源漏电极及所述有源层外侧；

步骤六、在所述第四基底上进行栅电极沉积，使所述栅电极包围式设置在所述绝缘层外侧；

步骤七、将蛋白质溶液涂覆于与所述栅电极外侧，得到初级器件；

步骤八、使用盐酸溶液将所述牺牲层溶解后，将聚酰亚胺衬底剥离，得到在蛋白基底上可降解的p型薄膜晶体管；

其中，所述牺牲层材料为ZnO，牺牲层厚度为200～1000nm；

所述牺牲层的沉积方法为：采用陶瓷ZnO靶，通过溅射获得牺牲层；

其中，溅射功率为50～150W，温度为25～90℃，压力3～20mtorr，通入Ar和O₂的流量比为9:1～2:1，沉积时间为20～50min。

2.根据权利要求1所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述保护层材料为HfO₂，保护层厚度为50～200nm。

3.根据权利要求2所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述保护层沉积的方法为：采用陶瓷HfO₂靶，通过溅射获得HfO₂获得保护层材料；

其中，溅射功率为100～250W，温度为25～200℃，压力为3～20mtorr，通入Ar和O₂的流量比为9:1～2:1，沉积时间为50～150min。

4.根据权利要求2或3所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述第一掩模板上开设有多个保护层通孔；所述多个保护层通孔为矩形通孔，并且在所述第一掩模板上呈矩形阵列排布。

5.根据权利要求4所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述第二掩模板上开设有多组源漏电极通孔，所述多组源漏电极通孔在所述第二掩模板上呈矩形阵列，并且与所述保护层通孔一一对应设置；

其中，每组所述源漏电极通孔包括间隔设置的源极通孔和漏极通孔；所述源极通孔和所述漏极通孔均为矩形通孔，并且尺寸相同。

6.根据权利要求5所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述保护层通孔的长度与所述源极通孔的长度相同，所述保护层通孔的宽度大于同组的所述源极通孔和漏极通孔之间的距离。

7.根据权利要求6所述的在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述第三掩模板上开设有多个有源层通孔，并且与所述多组源漏电极通孔一一对应设置；

其中，所述有源层通孔为矩形通孔，其宽度与所述源极通孔的长度相同，长度等于源极通孔的宽度、漏极通孔的宽度以及源极通孔和漏极通孔之间的距离之和。