[发明专利]一种黑色氧化铝陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 202011549133.6 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112552077A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 郭宏伟;刘磊;童强;池龙兴;刘帅;李荣悦;白赟;张维祥 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85;C09C1/00 |
代理公司: | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人: | 强宏超 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 黑色 氧化铝陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)按质量分数取4~6%的三氧化二硼、13~15%的二氧化硅、55~59%的三氧化二铋、0.5~2%的二氧化锰、16~19%的氧化铜、0.8~1.5%的三氧化二钨、1~1.5%的三氧化二锑和0.8~2%的二氧化锗,混合后得到混合料;
2)将混合料在950~1100℃下加热熔融后进行水淬,对水淬料烘干,得到黑色颗粒料;
3)按质量分数取43~55%的黑色颗粒料、1~5%的煅烧高岭土、0.5~1%的二氧化钛和43~55%的蒸馏水,进行球磨得到黑色料浆;
4)将氧化铝瓷浸入黑色料浆后取出烘干,再在830~850℃下加热后冷却,即得到黑色氧化铝陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中混合料放于素瓷坩埚中,且素瓷坩埚在硅碳棒电阻炉中预热至温度为800~900℃。
3.根据权利要求2所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中混合料置于素瓷坩埚并加坩埚盖,素瓷坩埚在硅碳棒电阻炉中升温至950~1100℃,并保温20~30min,熔融的液体倒入室温下的蒸馏水中进行水淬。
4.根据权利要求1所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中球磨在球磨罐中进行,球磨时间为10~24小时。
5.根据权利要求4所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述球磨罐采用聚氨酯球磨罐,研磨介质采用玛瑙。
6.根据权利要求4所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中球磨后黑色料浆过300目标准筛。
7.根据权利要求1所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中氧化铝瓷为99氧化铝瓷,氧化铝瓷经过清洗干净后浸入黑色料浆中保持5~20秒后取出。
8.根据权利要求1所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中烘干在烘箱中进行,烘干温度为40~60℃,烘干保温时间为5~10小时。
9.根据权利要求1所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中加热在窑炉中进行,窑炉以5℃/min的速度升温至830~850℃,保温时间为30~60min。
10.一种黑色氧化铝陶瓷,其特征在于,采用权利要求1至9中任一项所述的一种黑色氧化铝陶瓷的制备方法制备得到。
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