[发明专利]可变电阻存储器件

权利要求书

1.可变电阻存储器件，包括：

包括第一层和第二层的可变电阻层，

所述第二层在所述第一层上，

所述第一层包括第一金属氧化物材料，

所述第二层包括具有与所述第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价的第二金属氧化物材料；以及

第一导电元件和第二导电元件，其在所述可变电阻层上并且彼此分开，使得在所述可变电阻层中在与所述第一层和所述第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。

2.可变电阻存储器件，包括：

包括绝缘材料的支持层；

在所述支持层上的可变电阻层，所述可变电阻层包括第一层和第二层，

所述第二层在所述第一层上，所述第一层包括第一金属氧化物材料，所述第二层包括具有与所述第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价的第二金属氧化物材料；

在所述可变电阻层上的沟道层；

在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上的多个栅电极，所述多个栅电极彼此分开。

3.可变电阻存储器件，包括：

包括顺序地彼此堆叠的多个层的可变电阻层，

所述多个层包括第一层和第二层，所述第一层和第二层彼此接触且具有拥有彼此不同的金属化合价的金属氧化物材料，在所述第一层和所述第二层之间的界面包括多个氧空位；

连接至所述可变电阻层的第一区域的第一导电元件；以及

连接至所述可变电阻层的第二区域的第二导电元件，所述第二导电元件与所述第一导电元件间隔开。

4.如权利要求1-3任一项所述的可变电阻存储器件，其中在所述第一金属氧化物材料的金属化合价与所述第二金属氧化物材料的金属化合价之间的差为1或更大。

5.如权利要求4所述的可变电阻存储器件，其中在所述第一金属氧化物材料的密度与所述第二金属氧化物材料的密度之间的差为1g/cm³或更大。

6.如权利要求1-3任一项所述的可变电阻存储器件，其中

所述可变电阻层进一步包括在所述第二层上的第三层，和

所述第三层包括具有与所述第二金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价的第三金属氧化物材料。

7.如权利要求6所述的可变电阻存储器件，其中所述第一层和所述第三层包括相同的金属氧化物材料。

8.如权利要求6所述的可变电阻存储器件，其中

所述可变电阻层进一步包括在所述第三层上的第四层，和

所述第四层包括具有与所述第三金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价的第四金属氧化物材料。

9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中所述第一金属氧化物材料与所述第三金属氧化物材料相同。

10.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中所述第二金属氧化物材料与所述第四金属氧化物材料相同。

11.如权利要求1-3任一项所述的可变电阻存储器件，其中所述第一金属氧化物材料和所述第二金属氧化物材料包括具有2eV或更大的带隙能量的金属氧化物材料。