[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011549892.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113053758A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建勋;余振华;吴俊毅;吴凯强;梁裕民;王彦评 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在载体衬底上方沉积第一介电层；
在所述第一介电层上方沉积第一导电层；
在所述第一导电层上方形成第一穿孔；
将局部内连线器件附接到邻近于所述第一穿孔的所述第一导电层；
将所述局部内连线器件和所述第一穿孔包封于第一模塑化合物中；
在所述局部内连线器件和所述第一模塑化合物上方形成第二介电层；
在所述局部内连线器件的内连线穿孔上方形成第二穿孔；
在所述第一穿孔上方形成第三穿孔；以及
将所述第三穿孔和所述第二穿孔包封于第二模塑化合物中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
